[发明专利]基底清洁方法、基底清洁设备以及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种清洁基底的方法，所述方法包括：

使用湿工艺对基底进行清洁；

将超临界流体提供到基底上以从基底去除湿气；以及

使用干工艺对基底进行清洁以从基底去除由超临界流体产生的缺陷颗粒。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在干工艺中对基底进行清洁的步骤包括将光提供到基底上。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，缺陷颗粒包括烃类颗粒，并且

执行在干工艺中对基底进行清洁的步骤以使用光通过热分解和/或光分解工艺从基底去除烃类颗粒。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，提供到基底上的光包括紫外光。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在干工艺中对基底进行清洁的步骤包括将激光提供到基底上。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在干工艺中对基底进行清洁的步骤包括将红外光或可见光提供到基底上。

7.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括对基底进行冲洗。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在湿工艺中对基底进行清洁的步骤包括将化学溶液提供到基底上，并且

对基底进行冲洗的步骤包括将去离子水提供到基底上以去除化学溶液。

9.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括在湿工艺中从基底去除湿气，

其中，在湿工艺中从基底去除湿气的步骤包括将有机溶剂提供到基底上以去除去离子水。

10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

对基底进行蚀刻以形成沟槽；

在湿工艺中对基底进行清洁以去除在沟槽中产生的第一颗粒；

将超临界流体提供到基底上以从基底去除湿气；以及

在干工艺中对基底进行清洁以去除由超临界流体在基底的顶表面上产生的与第一颗粒不同的第二颗粒。

11.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括在基底上形成光致抗蚀剂图案，

其中，对基底进行蚀刻的步骤包括使用等离子体对基底的被光致抗蚀剂图案暴露的部分进行蚀刻。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在干工艺中对基底进行清洁的步骤包括将能量比所述等离子体的能量低的光提供到基底上。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，在干工艺中对基底进行清洁的步骤包括将能量比所述等离子体的能量低的激光提供到基底上。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，在干工艺中对基底进行清洁的步骤包括将能量比所述等离子体的能量低的红外光或可见光提供到基底上。

15.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括在沟槽中形成器件隔离层。

16.一种用于清洁基底的设备，所述设备包括：

索引模块，被构造为将基底装载到载体中或者从载体卸载基底；

清洁模块，被构造为对基底执行清洁工艺；

除湿模块，被构造为使用超临界流体从基底去除湿气；以及

传送模块，设置在除湿模块、清洁模块和索引模块附近，其中，传送模块被构造为将基底从索引模块、清洁模块和除湿模块中的一个模块传送到另一个模块，

其中，传送模块包括：

传送单元，设置在清洁模块与索引模块之间，其中，传送单元被构造为将基底从清洁模块和除湿模块中的一个模块传送到另一个模块；以及

缓冲单元，设置在传送单元与索引模块之间，其中，缓冲单元包括退火部，所述退火部被构造为对基底进行加热并去除由超临界流体在基底上产生的缺陷颗粒。