[发明专利]基底清洁方法、基底清洁设备以及制造半导体器件的方法

说明书

公开了一种清洁基底的方法，一种用于清洁基底的设备以及一种使用该清洁基底的设备制造半导体器件的方法。所述清洁基底的方法可以包括：在湿工艺中对基底进行清洁；将超临界流体提供到基底上以从基底去除湿气；以及在干工艺中对基底进行清洁以从基底去除由超临界流体产生的缺陷颗粒。

本申请要求于2018年3月21日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0032418号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开涉及一种制造半导体器件的方法，具体地说，涉及一种在湿工艺中清洁基底的方法、一种基底清洁设备以及一种使用该设备制造半导体器件的方法。

背景技术

通常，通过多个单元工艺来制造半导体器件。多个单元工艺包括沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺和清洁工艺。执行清洁工艺以从基底的表面去除污染物质(例如，颗粒)。清洁工艺分为湿法清洁工艺和干法清洁工艺。在湿法清洁工艺中，例如，使用化学溶液从基底上除去颗粒。在干法清洁工艺中，例如，使用等离子体以清洁基底。

发明内容

发明构思的一些实施例提供了一种去除由超临界流体产生的缺陷颗粒的基底清洁方法，一种基底清洁设备以及一种使用该基底清洁设备制造半导体器件的方法。

根据发明构思的一些实施例，一种清洁基底的方法可以包括：在湿工艺中对基底进行清洁；将超临界流体提供到基底上以从基底去除湿气；以及在干工艺中对基底进行清洁以从基底去除由超临界流体产生的缺陷颗粒。

根据发明构思的一些实施例，一种制造半导体器件的方法可以包括：对基底进行蚀刻以形成沟槽；在湿工艺中对基底进行清洁以去除在沟槽中产生的第一颗粒；将超临界流体提供到基底上以从基底去除湿气；以及在干工艺中对基底进行清洁以去除由超临界流体在基底的顶表面上产生的第二颗粒。

根据发明构思的一些实施例，一种用于清洁基底的设备可以包括：索引模块，被构造为将基底装载到载体中或者从载体卸载基底；清洁模块，被构造为对基底执行清洁工艺；除湿模块，被构造为使用超临界流体对基底进行干燥；以及传送模块，设置在除湿模块、清洁模块和索引模块附近，其中，传送模块被构造为将基底从索引模块、清洁模块和除湿模块中的一个传送到另一个，其中，传送模块包括传送单元和缓冲单元，所述传送单元设置在清洁模块与索引模块之间并且被构造为将基底从清洁模块和除湿模块中的一个传送到另一个，所述缓冲单元设置在传送单元与索引模块之间，其中，所述缓冲单元包括退火部，所述退火部被构造为对基底进行加热并去除由超临界流体在基底上产生的缺陷颗粒。

附图说明

图1是示意性地示出根据发明构思的一些实施例的可被用于制造半导体器件的制造系统的图。

图2是示出图1的清洁设备的示例的平面图。

图3是示出图2的缓冲单元的示例的剖视图。

图4是示出图2的清洁模块的示例的剖视图。

图5是示出图2的除湿模块的示例的剖视图。

图6是示出根据发明构思的一些实施例的用于制造半导体器件的方法的示例的流程图。

图7至图12是示例性地示出图6的制造方法的一些步骤的剖视图。

图13是示出图6的基底清洁步骤的示例的流程图。

图14是示出由图5的超临界流体在基底上形成的第二颗粒的剖视图。

图15是示出图2的缓冲单元的示例的剖视图。

图16是示出图2的缓冲单元的示例的剖视图。

具体实施方式

图1是示意性地示出根据发明构思的一些实施例的可被用于制造半导体器件的制造系统10的图。