[发明专利]改进的离子束蚀刻反应腔及执行蚀刻过程的方法

权利要求书

1.一种离子束蚀刻设备，其包括：

衬底固持件，其放置于处理反应腔内；

等离子体源，其与所述处理反应腔连通；

真空泵，其借助于入口耦合到所述处理反应腔；

一或多个隔板，其布置于所述衬底固持件与所述处理反应腔的下表面之间；及

副产物再分配器，其经配置以将来自蚀刻过程的副产物从所述一或多个隔板的外部移动到所述一或多个隔板正下方，其中所述副产物再分配器包括：

加热器，其布置于所述一或多个隔板的外部；及

冷却器，其布置于所述一或多个隔板正下方，其中所述加热器及所述冷却器经配置以产生从所述一或多个隔板的外部到所述一或多个隔板正下方降低的温度梯度。

2.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其中所述一或多个隔板包括侧壁，所述侧壁藉由在所述衬底固持件正下方的空间分离。

3.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其中所述一或多个隔板耦合到所述处理反应腔的侧壁。

4.根据权利要求1所述的蚀刻设备，

其中所述一或多个隔板包括第一下表面及介于所述第一下表面与所述处理反应腔的所述下表面之间的第二下表面；且

其中所述第二下表面沿着所述一或多个隔板的最外边缘布置。

5.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其中所述加热器实质上沿着所述处理反应腔的所述下表面在中间的位置。

6.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其中所述温度梯度大于或等于10℃。

7.根据权利要求6所述的蚀刻设备，其中所述加热器及所述冷却器经布置于所述处理反应腔的所述下表面下方。

8.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其中所述副产物再分配器包括：

一或多个额外真空泵，其借助于布置于所述一或多个隔板正下方的一或多个额外入口而耦合到所述处理反应腔，其中所述一或多个额外真空泵经配置以产生从所述一或多个隔板的外部到所述一或多个隔板正下方降低的压力梯度。

9.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其中所述一或多个隔板包括围绕所述处理反应腔的周边连续延伸的隔板。

10.一种蚀刻设备，其包括：

衬底固持件，其放置于处理反应腔内且包括经配置以固持工件的工件接纳区域；

真空泵，其借助于入口耦合到所述处理反应腔；

一或多个隔板，其在所述衬底固持件与所述处理反应腔的下表面之间的垂直位置处从所述处理反应腔的侧壁向外延伸；及

副产物再分配器，其经配置以将来自蚀刻过程的副产物移动到所述一或多个隔板正下方，其中所述副产物再分配器包括：

冷却器，其布置于所述一或多个隔板正下方，其中所述冷却器经配置以产生从所述一或多个隔板的外部到所述一或多个隔板正下方降低的温度梯度。

11.根据权利要求10所述的蚀刻设备，其进一步包括：

等离子体源，其经配置以产生等离子体；及

网格系统，其经配置以使来自所述等离子体的离子作为离子束加速朝向所述衬底固持件。

12.根据权利要求10所述的蚀刻设备，其中所述副产物再分配器进一步包括：

加热器，其布置于所述一或多个隔板的外部。

13.根据权利要求12所述的蚀刻设备，其中所述加热器实质上沿着所述处理反应腔的所述下表面在中间的位置。

14.根据权利要求12所述的蚀刻设备，其中所述冷却器在水平方向上介于所述加热器和所述处理反应腔的一侧之间。