[发明专利]改进的离子束蚀刻反应腔及执行蚀刻过程的方法

说明书

本申请涉及改进的离子束蚀刻反应腔及执行蚀刻过程的方法。在一些实施例中，本揭露涉及一种离子束蚀刻设备。所述离子束蚀刻设备包含：衬底固持件，其放置于处理反应腔内；及等离子体源，其与所述处理反应腔连通。真空泵借助于入口耦合到所述处理反应腔。一或多个隔板布置于所述衬底固持件与所述处理反应腔的下表面之间。副产物再分配器经配置以将来自蚀刻过程的副产物从所述一或多个隔板的外部移动到所述一或多个隔板正下方。

技术领域

本发明实施例涉及改进的离子束蚀刻反应腔及执行蚀刻过程的方法。

背景技术

离子束蚀刻(即，离子束铣削)是在集成式芯片的制造期间使用的常用蚀刻过程。离子束蚀刻是能够沿着特定方向优先去除材料的非等向性蚀刻过程。通过沿着特定方向去除材料，可形成高密度构件。

发明内容

本发明的一实施例涉及一种离子束蚀刻设备，其包括：衬底固持件，其放置于处理反应腔内；等离子体源，其与所述处理反应腔连通；真空泵，其借助于入口耦合到所述处理反应腔；一或多个隔板，其布置于所述衬底固持件与所述处理反应腔的下表面之间；及副产物再分配器，其经配置以将来自蚀刻过程的副产物从所述一或多个隔板的外部移动到所述一或多个隔板正下方。

本发明的一实施例涉及一种蚀刻设备，其包括：衬底固持件，其放置于处理反应腔内且包括经配置以固持工件的工件接纳区域；真空泵，其借助于入口耦合到所述处理反应腔；一或多个隔板，其在所述衬底固持件与所述处理反应腔的下表面之间的垂直位置处从所述处理反应腔的侧壁向外延伸；及副产物再分配器，其经配置以将来自蚀刻过程的副产物移动到所述一或多个隔板正下方。

本发明的一实施例涉及一种执行蚀刻过程的方法，其包括：在与处理反应腔连通的等离子体反应腔内产生等离子体；使来自所述等离子体的离子加速朝向所述处理反应腔内的工件以产生离子束，其中所述离子束执行蚀刻所述工件上的材料的蚀刻过程；及将来自所述蚀刻过程的副产物移动到所述处理反应腔内的一或多个隔板正下方。

附图说明

当结合附图阅读时根据以下详细描述最好地理解本揭露的方面。应注意，根据业界中的标准实践，各种构件未按比例绘制。事实上，为了清楚论述起见，可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1绘示具有经配置以减少蚀刻副产物再沉积到工件上的一或多个隔板的所公开离子束蚀刻设备的一些实施例的框图。

图2绘示具有一或多个隔板的所公开离子束蚀刻设备的一些额外实施例的框图。

图3绘示展示图2的离子束蚀刻设备的操作的时序图的一些实施例。

图4绘示具有一或多个隔板的所公开离子束蚀刻设备的一些额外实施例的框图。

图5A到5B绘示具有一或多个隔板的所公开离子束蚀刻设备的一些实施例的俯视图。

图6A到6D绘示如本文中所提供的一或多个隔板的一些实施例的剖面图。

图7到10绘示执行离子束蚀刻过程的方法的一些实施例的剖面图。

图11绘示执行离子束蚀刻过程的方法的一些实施例的流程图。

具体实施方式

以下揭露内容提供用于实施本揭露的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且不旨在限制。举例来说，在下列描述中的第一构件形成于第二构件上方或上可包含其中所述第一构件及所述第二构件经形成直接接触的实施例，且也可包含其中额外构件可形成在所述第一构件与所述第二构件之间，使得所述第一构件及所述第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复元件符号及/或字母。这种重复出于简化及清楚的目的，且本身不指示所论述的各个实施例及/或配置之间的关系。