[发明专利]一种芯片封装结构及可调衰减装置

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于：所述芯片封装结构包括依次堆叠设置的底座、转接板、垫块和芯片，所述转接板包括至少部分设置在非芯片正下方位置的导电膜，所述导电膜与底座的导电端电连接，且通过金属丝与芯片的引脚连接。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述底座包括管座，以及至少两个设置在管座且作为导电端的插针，所述导电膜至少设置两个且相互独立，所述插针通过金属丝与对应的导电膜连接。

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于：所述插针穿过管座并设置在转接板的对应通孔中。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述底座包括可导电的管座，以及至少两个作为导电端的插针，所述导电膜至少设置两个且相互独立，所述管座与一作为第一插针的插针连接并通过金属丝与对应导电膜连接，其余所述插针作为第二插针通过金属丝与对应导电膜连接。

5.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于：所述第二插针穿过管座并设置在转接板的对应通孔中，且与管座绝缘设置。

6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于：所述第二插针与管座的一通孔之间设置有绝缘层。

7.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于：所述转接板包括一连通管座表面的通孔。

8.根据权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于：所述管座包括设置在转接板的一通孔内且作为金属丝连接端的凸台。

9.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述垫块为绝缘基板。

10.根据权利要求1或9所述的芯片封装结构，其特征在于：所述垫块包括设置在芯片正下方且用于避空导电端的开口。

11.根据权利要求10所述的芯片封装结构，其特征在于：所述开口设置在垫块的两侧。

12.根据权利要求1至8任一所述的芯片封装结构，其特征在于：所述转接板包括陶瓷基座以及设置在陶瓷基座表面且作为导电膜的镀金膜。

13.根据权利要求12所述的芯片封装结构，其特征在于：所述陶瓷基座的表面附着有电阻元件，与MEMS芯片的部分/全部引脚并联。

14.根据权利要求1至8任一所述的芯片封装结构，其特征在于：所述芯片为MEMS芯片。

15.根据权利要求1至8任一所述的芯片封装结构，其特征在于：所述芯片包括作为引脚的焊盘，且至少包括一负极电极和正极电极。

16.一种可调衰减装置，其特征在于：所述可调衰减装置包括如权利要求1至15任一所述的芯片封装结构，以及套设在芯片封装结构的底座上的管帽和与管帽的帽口连通的光束准直器件。

17.根据权利要求16所述的可调衰减装置，其特征在于：所述光束准直器件包括透镜和双光纤头，所述透镜设置在双光纤头与芯片之间。

18.根据权利要求16所述的可调衰减装置，其特征在于：所述芯片封装结构的芯片为转镜式MEMS芯片，所述转镜式MEMS芯片包括负极和至少一正极；以及，所述导电端和导电膜均设置相对应的数量且相互独立，所述导电膜分别通过金属丝与对应的导电端连接，再通过金属丝连接到一负极和对应的正极。