[发明专利]一种光源掩模协同优化初始光源的确定方法及装置

说明书

本申请实施例公开了一种光源掩模协同优化初始光源的确定方法及装置，包括获取初始掩模图形，根据初始掩模图形的几何特征，得到与初始掩模图形相关的至少一个测试图形，在目标光源库中查找与测试图形对应的测试光源，其中，目标光源库包括测试图形和测试光源的对应关系，测试光源为与测试图形对应的经过优化的光源，根据查找到的测试光源的测试参数，可以确定初始光源的初始参数。相比于现有技术中将环形光源作为初始光源，本申请实施例中根据测试光源的测试参数确定的初始光源，更加接近初始掩模图形对应优化得到的最佳光源，因此，基于确定出的初始光源，可以减少光源掩模协同优化方法的迭代次数，提高优化效率。

技术领域

本申请涉及半导体领域，特别是涉及一种光源掩模协同优化初始光源的确定方法及装置。

背景技术

在半导体领域，光刻是集成电路生产中的一个重要工艺，具体的，可以通过曝光，将掩模版上的掩模图形按照一定比例转移到要加工的对象上。随着集成电路的发展，半导体器件的尺寸逐渐减小，人们对于增强光刻分辨率和光刻工艺窗口(Process Window，PW)的需求越来越强烈，其中，光刻工艺窗口指保证掩模图形能够正确复制到硅片上的曝光剂量和离焦量范围，可以包含三个信息：成像精确度、曝光度和焦深。

现有技术中，可以先获取初始掩模图形和初始光源，利用光源掩模协同优化(Source Mask Optimization，SMO)方法，对初始掩模图形和初始光源进行协同优化，从而有效增大光刻工艺窗口，增强光学表现，满足制造需求。其中，为了兼顾各个方向的初始掩模图形，确定的初始光源通常是环形(Annular)光源，也就是说，利用SMO方法对初始掩模图形和环形光源进行协同优化，从而增大光刻工艺窗口，这种优化方式的往往需要较多次迭代计算，计算量较大，优化效率低。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种初始光源的确定方法及装置，通过确定与初始掩模图形相关的初始光源，减少光源掩模协同优化方法的迭代次数，提高优化效率。

本申请实施例提供了一种光源掩模协同优化初始光源的确定方法，所述方法包括：

获取初始掩模图形；

根据所述初始掩模图形的几何特征，得到与所述初始掩模图形相关的至少一个测试图形；

在目标光源库中查找与所述测试图形对应的测试光源，所述测试光源为与所述测试图形对应的经过优化的光源；

根据所述测试光源的光源参数，确定初始光源的光源参数。

可选的，若所述测试图形为多个，则所述根据所述测试光源的光源参数，确定初始光源的光源参数，包括：

根据所述测试图形的重要程度，确定与所述测试图形匹配的测试光源的权重；

根据所述测试光源的权重，对所述测试光源的光源参数进行加权平均，得到所述初始光源的光源参数。

可选的，所述目标光源库中的测试光源可以通过以下方式获取：利用光源掩模协同优化方法，对所述测试图形和环形光源进行协同优化，得到所述测试图形对应的测试光源。

可选的，所述根据所述初始掩模图形的集合特征，得到与所述初始掩模图形相关的至少一个测试图形，包括：

对所述初始掩模图形进行拆分，得到至少一个测试图形；和/或，

根据所述初始掩模图形的几何特征，提取所述初始掩模图形中的关键图形，根据所述关键图形设计得到至少一个测试图形。

可选的，所述初始掩模图形的几何特征包括：构成初始掩模图形的各个单元图形的线宽、周期、方向、数量以及排布。