[发明专利]光阻化合物

说明书

光阻化合物包含光阻材料，光阻材料包含多个金属氧化纳米颗粒与配位基，以及一种酸，这种酸的酸度系数pK_a介于‑15到4之间，或是一种碱，这种碱的pK_a介于9到40。

技术领域

本揭露相关于在半导体制程里的光阻化合物。

背景技术

当消费性装置回应了消费者的需求，已经变得越来越小，这些装置里个别的元件一定也同样地降低了尺寸。半导体装置作为装置(例如智能手机，平板电脑，以及类似的)的主要成分，已被期许要变得越来越小，而半导体装置里的个别元件(例如晶体管，电阻，电容等)上也有着相应的压力，也要降低尺寸。

一个被使用在半导体装置制程的可行技术，是感光材料的使用。感光材料这样的材料，被应用在表面，接着曝露至自身被图案化的能量。这样的一个曝光改变了感光材料被曝光区域的化学及物理特性。这个改良，随着未曝光而未有太大改变的感光材料的区域，能被利用以在不移除其他部分的情况下，移除一个区域。

然而，当个别装置的尺寸减少，对于光刻制程的制程窗口已变得越来越紧密。因此，光刻制程这个领域的优点是需要保持降低装置尺寸的能力，而为了达到渴望的设计标准，改善更是被需要，使得往越来越小元件前进的目标能够保持。

极紫外光光刻(Extreme ultraviolet lithography，EUVL)已经被发展，以形成较小半导体装置的特征尺寸，增加在一片半导体晶圆上装置的密度。当装置的特征缩小，缺陷的移除变得越来越困难。缺陷可能通过光阻敏感度的变化与曝光的耐受性被形成。一些光阻化合物的实施方式具有有限的保质期。当光阻化合物老化，光阻的敏感度与曝光的耐受性变化，导致变化的图案被形成，以及随后的缺陷产生。

发明内容

本揭露技术涵盖多种光阻化合物，这些光阻化合物包含光阻材料，光阻材料里包含多个金属氧化纳米颗粒与一个配位基，以及一种酸，此种酸的酸度系数pK_a介于-15到4之间，或是一种碱，此种碱的酸度系数pK_a介于9到40之间。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本揭露的各方面。在附图中，除非上下文另有说明，否则相同的附图标记表示相似的元件或步骤。附图中元件的尺寸和相对位置不一定按比例绘制。实际上，为了清楚讨论，可以任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1根据本揭露实施方式制造半导体装置的制程流程；

图2根据本揭露实施方式展示操作步骤的一制程阶段；

图3根据本揭露实施方式展示操作步骤的一制程阶段；

图4根据本揭露实施方式展示操作步骤的一制程阶段；

图5根据本揭露实施方式展示操作步骤的一制程阶段；

图6根据本揭露实施方式展示操作步骤的一制程阶段；

图7根据本揭露实施方式展示光阻聚合物的成分；

图8根据本揭露实施方式展示操作步骤的一制程阶段；

图9根据本揭露实施方式展示操作步骤的一制程阶段；

图10根据本揭露实施方式展示操作步骤的一制程阶段；

图11根据本揭露实施方式展示操作步骤的一制程阶段；

图12根据本揭露实施方式展示操作步骤的一制程阶段；

图13根据本揭露实施方式展示操作步骤的一制程阶段。

具体实施方式