[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，具备：

第1电极；

第1导电型的第1半导体区域，设置于上述第1电极之上，与上述第1电极电连接；

第1导电型的第2半导体区域，设置于上述第1半导体区域的一部分之上，上述第2半导体区域中的第1导电型的杂质浓度比上述第1半导体区域中的第1导电型的杂质浓度低；

第2导电型的第3半导体区域，设置于上述第1半导体区域的其它的一部分之上，上述第3半导体区域在与从上述第1电极朝向上述第1半导体区域的第1方向垂直的第2方向上和上述第2半导体区域的至少一部分并列；

第1导电型的第4半导体区域，设置于上述第1半导体区域与上述第3半导体区域之间的至少一部分，上述第4半导体区域中的第1导电型的杂质浓度比上述第1半导体区域中的第1导电型的杂质浓度低、且比上述第2半导体区域中的第1导电型的杂质浓度高；

第1导电型的第5半导体区域，设置于上述第1半导体区域与上述第4半导体区域之间，上述第5半导体区域中的第1导电型的杂质浓度比上述第4半导体区域中的第1导电型的杂质浓度低；

第2导电型的第6半导体区域，设置于上述第3半导体区域之上，上述第6半导体区域中的第2导电型的杂质浓度比上述第3半导体区域中的第2导电型的杂质浓度高；

第1导电型的第7半导体区域，选择性地设置于上述第6半导体区域之上；

栅极电极，隔着栅极绝缘层与上述第2半导体区域、上述第6半导体区域以及上述第7半导体区域对置；以及

第2电极，设置于上述第6半导体区域以及上述第7半导体区域之上，与上述第6半导体区域以及上述第7半导体区域电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第4半导体区域以及上述第5半导体区域还设置在上述第1半导体区域与上述第2半导体区域之间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第4半导体区域以及上述第5半导体区域在上述第2方向上与上述第2半导体区域的一部分并列。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：

第2导电型的第8半导体区域，设置于上述第5半导体区域中，上述第8半导体区域位于上述第1半导体区域与上述第3半导体区域之间；以及

第2导电型的第9半导体区域，设置于上述第3半导体区域与上述第8半导体区域之间，上述第9半导体区域与上述第3半导体区域以及上述第8半导体区域连接，

上述第8半导体区域中的第2导电型的杂质浓度比上述第4半导体区域中的第1导电型的杂质浓度低，

上述第9半导体区域中的第2导电型的杂质浓度比上述第8半导体区域中的第2导电型的杂质浓度低。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

上述第9半导体区域的上述第2方向上的长度比上述第8半导体区域的上述第2方向上的长度短。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第5半导体区域中的第1导电型的杂质浓度比上述第2半导体区域中的第1导电型的杂质浓度低。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

对上述第2半导体区域的至少一部分以及上述第3半导体区域的至少一部分添加重金属或者照射带电粒子。