[发明专利]一种阵列基板、其制备方法及显示装置在审
申请号: | 201910121524.9 | 申请日: | 2019-02-19 |
公开(公告)号: | CN109712996A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 刘弘;王凤国;方业周;武新国;赵晶;郭志轩;马波;李凯;田亮;王海东 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1345 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属走线 周边区域 衬底基板 明暗相间 显示装置 阵列基板 遮光部 条纹 制备 光源照射 透光区域 显示效果 正投影 相干 布线 衍射 反射 遮挡 光照 覆盖 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括显示区域,所述显示区域具有图像获取区域,所述图像获取区域包括透光区域和包围所述透光区域的周边区域;其中,
所述周边区域包括位于衬底基板上的多条金属走线,以及位于所述金属走线与所述衬底基板之间的第一遮光部;所述金属走线在所述衬底基板上的正投影被所述第一遮光部在所述衬底基板上的正投影覆盖。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于所述衬底基板与所述金属走线之间的缓冲层,所述第一遮光部位于所述衬底基板与所述缓冲层之间。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,在所述显示区域中,除所述图像获取区域的其它区域包括薄膜晶体管,以及用于遮挡所述薄膜晶体管的第二遮光部;所述第一遮光部与所述第二遮光部同层设置。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述显示区域中,除所述图像获取区域的其它区域包括薄膜晶体管,所述第一遮光部与所述薄膜晶体管的有源层同层设置。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于所述衬底基板与所述金属走线之间的缓冲层,所述第一遮光部包括叠层设置的第一子遮光部和第二子遮光部,所述第一子遮光部位于所述衬底基板与所述缓冲层之间,所述第二子遮光部位于所述缓冲层与所述金属走线之间。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,在所述显示区域中,除所述图像获取区域的其它区域包括薄膜晶体管,以及用于遮挡所述薄膜晶体管的第二遮光部;所述第一子遮光部与所述第二遮光部同层设置,所述第二子遮光部与所述薄膜晶体管的有源层同层设置。
7.如权利要求1-6任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述透光区域仅包括位于所述衬底基板上的缓冲层。
8.一种液晶显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
9.一种如权利要求1-7任一项所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在周边区域的衬底基板上形成第一遮光部;
在形成有所述第一遮光部的衬底基板上形成多条金属走线;其中,所述金属走线在所述衬底基板上的正投影被所述第一遮光部在所述衬底基板上的正投影覆盖。
10.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,在形成所述多条金属走线之前,还包括:
在图像获取区域形成缓冲层、薄膜晶体管的有源层和绝缘层;
通过一次构图工艺去除位于所述透光区域的所述薄膜晶体管的有源层和所述绝缘层,以在所述透光区域仅保留所述缓冲层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的