[发明专利]一种阵列基板、其制备方法及显示装置在审
申请号: | 201910121524.9 | 申请日: | 2019-02-19 |
公开(公告)号: | CN109712996A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 刘弘;王凤国;方业周;武新国;赵晶;郭志轩;马波;李凯;田亮;王海东 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1345 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属走线 周边区域 衬底基板 明暗相间 显示装置 阵列基板 遮光部 条纹 制备 光源照射 透光区域 显示效果 正投影 相干 布线 衍射 反射 遮挡 光照 覆盖 | ||
本发明公开了一种阵列基板、其制备方法及显示装置,由于上述周边区域的多条金属走线一般围绕透光区域进行设置,并且由于各金属走线之间的布线较密,在进行光照时容易发生反射,并产生光的相干衍射现象,造成周边区域的明暗相间的条纹不良。因此,本发明通过在上述周边区域的金属走线与衬底基板之间设置在衬底基板上的正投影覆盖金属走线的第一遮光部,该第一遮光部能够遮挡光源照射至各金属走线,从而可以解决周边区域出现明暗相间的条纹不良的问题,提高显示效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种阵列基板、其制备方法及显示装置。
背景技术
目前,全面屏设计的显示面板越来越深得消费者的欢迎,全面屏是采用四周超窄边框设计,再结合在显示区域挖孔放置摄像头设计的面板架构,全面屏是面板显示屏占比最高的面板构架。在阵列基板中,在挖孔位置处形成透光区域,以使摄像头能够通过该透光区域进行图像采集。但是,在进行显示时,我们发现透光区域的周边区域会出现显示不良的现象。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、其制备方法及显示装置,用以解决现有技术中透光区域的周边区域出现显示不良的问题。
本发明实施例提供了一种阵列基板,包括显示区域,所述显示区域具有图像获取区域,所述图像获取区域包括透光区域和包围所述透光区域的周边区域;其中,
所述周边区域包括位于衬底基板上的多条金属走线,以及位于所述金属走线与所述衬底基板之间的第一遮光部;所述金属走线在所述衬底基板上的正投影被所述第一遮光部在所述衬底基板上的正投影覆盖。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,还包括位于所述衬底基板与所述金属走线之间的缓冲层,所述第一遮光部位于所述衬底基板与所述缓冲层之间。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,在所述显示区域中,除所述图像获取区域的其它区域包括薄膜晶体管,以及用于遮挡所述薄膜晶体管的第二遮光部;所述第一遮光部与所述第二遮光部同层设置。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,在所述显示区域中,除所述图像获取区域的其它区域包括薄膜晶体管,所述第一遮光部与所述薄膜晶体管的有源层同层设置。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,还包括位于所述衬底基板与所述金属走线之间的缓冲层,所述第一遮光部包括叠层设置的第一子遮光部和第二子遮光部,所述第一子遮光部位于所述衬底基板与所述缓冲层之间,所述第二子遮光部位于所述缓冲层与所述金属走线之间。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,在所述显示区域中,除所述图像获取区域的其它区域包括薄膜晶体管,以及用于遮挡所述薄膜晶体管的第二遮光部;所述第一子遮光部与所述第二遮光部同层设置,所述第二子遮光部与所述薄膜晶体管的有源层同层设置。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述透光区域仅包括位于所述衬底基板上的缓冲层。
相应地,本发明实施例还提供了一种液晶显示装置,包括本发明实施例提供的上述阵列基板。
相应地,本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述阵列基板的制备方法,包括:
在周边区域的衬底基板上形成第一遮光部;
在形成有所述第一遮光部的衬底基板上形成多条金属走线;其中,所述金属走线在所述衬底基板上的正投影被所述第一遮光部在所述衬底基板上的正投影覆盖。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述制备方法中,在形成所述多条金属走线之前,还包括:
在图像获取区域形成缓冲层、薄膜晶体管的有源层和绝缘层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的