[发明专利]阵列基板、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201910122021.3 | 申请日: | 2019-02-19 |
公开(公告)号: | CN109817689B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 周桢力;蒋志亮;刘伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
本发明涉及显示技术领域,提出一种阵列基板、显示面板和显示装置。该阵列基板包括衬底基板、静电消减层、有机材料层组以及阻水层;静电消减层设于衬底基板之上;有机材料层组设于静电消减层的背离衬底基板的一面;阻水层设于有机材料层组的背离衬底基板的一面,阻水层将有机材料层组包覆,且阻水层上设置有凹槽,凹槽的延伸方向与外围区域和显示区域的分隔线的延伸方向一致。通过阻水层将有机材料层组包覆,有效避免水氧通过有机材料层组到达静电消减层,对静电消减层造成的水氧腐蚀,提高OLED产品的良率和可信赖性。凹槽可以有效避免阻水层被外部碰撞产生的裂纹蔓延至显示区域,从而降低OLED产品封装失效的风险。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、安装有该阵列基板的显示面板和安装有该显示面板的显示装置。
背景技术
在OLED产品的制造过程中,需要对OLED产品进行信赖性测试。目前,OLED产品在信赖性测试过程中,容易出现静电消减层被水氧侵蚀氧化造成的腐蚀不良,从而使OLED产品的良率和可信赖性降低。
因此,有必要研究一种新的阵列基板、安装有该阵列基板的显示面板和安装有该显示面板的显示装置。
所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的静电消减层容易出现腐蚀不良的不足,提供一种静电消减层不容易出现腐蚀不良的阵列基板、安装有该阵列基板的显示面板和安装有该显示面板的显示装置。
本发明的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述,并且部分地将从描述中变得显然,或者可以通过本发明的实践而习得。
根据本公开的一个方面,提供一种阵列基板,包括:
衬底基板;
静电消减层,设于所述衬底基板之上;
有机材料层组,设于所述静电消减层的背离所述衬底基板的一面;
阻水层,设于所述有机材料层组的背离所述衬底基板的一面,所述阻水层将所述有机材料层组包覆,且所述阻水层上设置有凹槽,所述凹槽的延伸方向与外围区域和显示区域的分隔线的延伸方向一致。
在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括:
第一阻挡墙,设于所述衬底基板之上并位于所述有机材料层组的靠近所述显示区域的一侧,所述第一阻挡墙上覆盖所述阻水层。
在本公开的一种示例性实施例中,所述凹槽位于所述有机材料层组与所述第一阻挡墙之间。
在本公开的一种示例性实施例中,所述凹槽贯穿所述阻水层以将所述阻水层分成相互间隔的两部分。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一阻挡墙包括:
平坦化层,设于所述衬底基板之上;
第一阻挡材料层,设于所述平坦化层的背离所述衬底基板的一面;
第二阻挡材料层,设于所述第一阻挡材料层的背离所述衬底基板的一面。
在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括:
第二阻挡墙,设于所述衬底基板之上并位于所述第一阻挡墙的靠近所述显示区域的一侧,所述第二阻挡墙上覆盖所述阻水层。
在本公开的一种示例性实施例中,所述凹槽的个数为多个,多个所述凹槽互相平行设置。
在本公开的一种示例性实施例中,有机材料层组包括:
第一有机材料层,设于所述静电消减层的背离所述衬底基板的一面;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910122021.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的