[发明专利]非易失性存储器器件及其操作方法

权利要求书

1.一种操作包括多个字线的存储器器件的方法，所述方法包括：

在第一读取操作中，通过向多个字线当中的第一字线施加具有第一电平的偏移电平的虚拟读取电压，对被连接到多个字线当中的第一字线的第一存储器单元执行第一虚拟读取操作；

基于第一虚拟读取操作的读取结果，确定被连接到第一字线的第一存储器单元的阈值电压分布的劣化；

基于确定第一存储器单元的阈值电压分布的劣化的结果，将虚拟读取电压的偏移电平调整为第二电平；以及

在第二读取操作中，通过向多个字线当中的第二字线施加具有被调整为第二电平的偏移电平的虚拟读取电压，对被连接到多个字线当中的第二字线的第二存储器单元执行第二虚拟读取操作。

2.如权利要求1所述的方法，其中：

所述确定阈值电压分布的劣化包括：

执行与第一虚拟读取操作相对应的第一单元计数操作；以及

基于指示执行第一单元计数操作的结果的计数信息，确定第一存储器单元的阈值电压分布的劣化程度。

3.如权利要求2所述的方法，其中：

所述执行第一虚拟读取操作包括通过向第一字线施加分别具有有效字线电压可变单元的电压间隙的多个字线电压来执行多个感测操作，以及

所述执行第一单元计数操作包括对第一存储器单元当中的具有在阈值电压分布上的多个字线电压之间的阈值电压的存储器单元的数量进行计数。

4.如权利要求2所述的方法，其中将虚拟读取电压的偏移电平调整为第二电平包括：

通过将第一存储器单元的阈值电压分布的劣化程度与存储在存储器器件中的偏移电平补偿表进行比较来将虚拟读取电压的偏移电平确定为第二电平。

5.如权利要求4所述的方法，其中将虚拟读取电压的偏移电平确定为第二电平包括：

基于第一存储器单元和第二存储器单元之间的相邻性，从存储在存储器器件中的偏移电平补偿标准信息选择所述偏移电平补偿表；以及

通过将第一存储器单元的所述阈值电压分布的劣化程度与所选择的偏移电平补偿表进行比较来将虚拟读取电压的偏移电平确定为第二电平。

6.如权利要求1所述的方法，其中：

第一字线是第二字线。

7.如权利要求1所述的方法，其中：

第二读取操作是第一读取操作之后的初始读取操作。

8.如权利要求1所述的方法，其中：

第二存储器单元被连接到第二串选择线，所述第二串选择线与连接到第一存储器单元的第一串选择线相邻。

9.如权利要求1所述的方法，其中：

多个字线分别被连接到存储器单元阵列的多个存储器单元，以及

所述执行第一虚拟读取操作包括，在执行一次位线预充电之后，通过使用连接到存储器单元阵列的页面缓冲器的测出节点的不同的展开时间段来多次执行感测操作。

10.如权利要求9所述的方法，其中第一电压间隙指示与测出节点的展开时间段变量相对应的有效字线电压分辨率，以及

将虚拟读取电压的偏移电平调整为第二电平包括确定小于第一电压间隙的第二电压间隙中的第二电平。

11.如权利要求10所述的方法，其中，

第一电压间隙是第二电压间隙与等于或大于2的第一自然数的第一乘积，并且

在将虚拟读取电压的偏移电平调整为第二电平时，第二电平是第二电压间隙与小于或等于一自然数的第二自然数的第二乘积，所述一自然数小于所述第一自然数。