[发明专利]非易失性存储器器件及其操作方法

说明书

存储器器件包括多个字线。一种操作存储器器件的方法包括：通过向第一字线施加具有第一电平的偏移电平的虚拟读取电压，针对被连接到字线当中的第一字线的第一存储器单元执行第一虚拟读取操作；基于执行第一虚拟读取操作的结果，确定第一存储器单元的阈值电压分布的劣化；基于确定阈值电压分布的结果，将虚拟读取电压的偏移电平调整为第二电平；以及通过向字线当中的第二字线施加具有被调整为第二电平的偏移电平的虚拟读取电压，针对被连接到字线当中的第二字线的第二存储器单元执行第二虚拟读取操作。

相关申请的交叉引用

该美国非临时专利申请根据35U.S.C.§119要求于2018年2月26日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2018-0023162号的优先权，其公开通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开涉及非易失性存储器器件和存储设备。更具体地，本公开涉及操作非易失性存储器器件的方法和包括该非易失性存储器器件的存储设备。

背景技术

半导体存储器器件可以被分类为易失性存储器器件和非易失性存储器器件。易失性存储器器件存储当易失性存储器器件断电时被擦除的数据。非易失性存储器器件存储当非易失性存储器器件断电时不被擦除的数据。尽管易失性存储器器件读取和写入数据通常比非易失性存储器器件快，但是当易失性存储器器件断电时，存储在存储器器件中的数据被擦除。另一方面，尽管非易失性存储器器件读取和写入数据通常比易失性存储器器件慢，但是即使当非易失性存储器器件断电时，存储在存储器器件中的数据也得以保留。

非易失性存储器器件的示例是闪存设备。在闪存设备中，随着存储在一个存储器单元中的数据的位数增加，包括在存储器器件中的存储器单元的阈值电压分布更精细地形成。例如，阈值电压分布可能变得更复杂和/或更详细，和/或可能包括更多方向变化。阈值电压分布的改变可能导致像读取错误的缺陷。

发明内容

本公开提供了一种操作存储器器件的方法、存储器器件和包括该存储器器件的存储设备。更具体地，本公开提供了一种用于当存储器单元的阈值电压分布形成为不同于预期阈值电压分布时以高可靠性执行数据读取操作的方法和设备。

根据本公开的另一方面，操作存储器器件的方法包括：在第一读取操作中，通过向多个字线当中的第一字线施加具有第一电平的偏移电平的虚拟读取电压，针对被连接到多个字线当中的第一字线的第一存储器单元执行第一虚拟读取操作。该方法还包括基于执行第一虚拟读取操作的读取结果来确定连接到第一字线的第一存储器单元的阈值电压分布的劣化。该方法还包括基于确定第一存储器单元的阈值电压分布的劣化的结果，将虚拟读取电压的偏移电平调整为第二电平。在第二读取操作中，通过向第二字线施加具有被调整为第二电平的偏移电平的虚拟读取电压，针对被连接到字线当中的第二字线的第二存储器单元执行第二虚拟读取操作。

根据本公开的另一方面，存储器器件包括存储器单元阵列、页面缓冲器电路、单元计数器和控制逻辑电路。存储器单元阵列包括被连接到多个字线的多个存储器单元。页面缓冲器电路包括：分别被连接到第一存储器单元的多个页面缓冲器，该第一存储器单元被连接到字线当中的第一字线。页面缓冲器被配置为在针对第一存储器单元的第一读取操作中执行第一虚拟读取操作期间存储针对第一存储器单元的读取结果。单元计数器连接到页面缓冲器电路，并且被配置为根据读取的结果执行与第一虚拟操作相对应的第一单元计数操作。控制逻辑电路被配置为基于从计数器接收的并表示执行单元计数操作的结果的计数信息来确定第一存储器单元的阈值电压分布的劣化。控制逻辑电路还被配置为存储确定的结果，以及基于所存储的确定结果，在针对被连接到字线当中的第二字线的第二存储器单元的第二读取操作中调整用于第二虚拟读取操作的虚拟读取电压的偏移电平。