[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括负电压电平移位器，

其中所述负电压电平移位器包括第一电平移位器，所述第一电平移位器将输入信号的高电平从正的第一电源电压转换为第一中压，所述第一中压高于所述第一电源电压并且低于第二电源电压，

其中所述负电压电平移位器还包括：

第二电平移位器，所述第二电平移位器将所述第一电平移位器的输出信号的低电平从第三电源电压转换为低于所述第三电源电压的第四电源电压，以及

第一中压生成电路，所述第一中压生成电路生成所述第一中压，以及

其中所述第一中压生成电路包括：

第一NMOS(N沟道金属氧化物半导体)晶体管，被耦合在输出所述第一中压的第一中压节点与被提供有所述第二电源电压的第一电源节点之间，以及

第一PMOS(P沟道MOS)晶体管，被耦合至所述第一中压节点以用作用于释放所述第一中压节点的电荷的路径。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述负电压电平移位器还包括生成第一控制信号和第二控制信号的第一控制信号生成电路，所述第一控制信号控制所述第一NMOS晶体管的栅极电压，所述第二控制信号控制所述第一PMOS晶体管的栅极电压。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述第二电平移位器将所述第一电平移位器的所述输出信号的高电平从所述第一中压转换为第二中压，所述第二中压高于所述第一电源电压并且等于或低于所述第一中压，

其中所述负电压电平移位器还包括生成所述第二中压的第二中压生成电路，以及

其中所述第二中压生成电路包括：

第二NMOS晶体管，被耦合在输出所述第二中压的第二中压节点与所述第一电源节点之间，以及

第二PMOS晶体管，能够通过被耦合至所述第二中压节点来释放所述第二中压节点的电荷。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一控制信号生成电路将所述第一控制信号提供给所述第二NMOS晶体管的栅极，并且将所述第二控制信号提供给所述第二PMOS晶体管的栅极。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述负电压电平移位器还包括生成第三控制信号和第四控制信号的第二控制信号生成电路，所述第三控制信号控制所述第二NMOS晶体管的栅极电压，所述第四控制信号控制所述第二PMOS晶体管的栅极电压。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第三电源电压是绝对值小于所述第四电源电压的负电压，以及

其中所述第二电平移位器将所述第一电平移位器的所述输出信号的高电平从所述第一中压转换为所述第一电源电压。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一PMOS晶体管的栅极和漏极被彼此耦合。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一PMOS晶体管被耦合在被提供有恒定电压的节点与所述第一中压节点之间，所述恒定电压低于被提供给所述第一PMOS晶体管的栅极的控制电压。

9.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述第一电平移位器包括第三PMOS晶体管和第三NMOS晶体管，所述输入信号被输入到所述第三PMOS晶体管和所述第三NMOS晶体管，以及

其中所述第一控制信号生成电路包括：

第四PMOS晶体管，所述第四PMOS晶体管是所述第三PMOS晶体管的复制，

第四NMOS晶体管，所述第四NMOS晶体管是所述第三NMOS晶体管的复制，以及

电流镜电路，用于向所述第四PMOS晶体管和所述第四NMOS晶体管提供具有预定电流比率的电流。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述第一控制信号生成电路还包括：被提供在所述第三NMOS晶体管的电流路径上的第一恒流电源。