[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板、电子设备

权利要求书

1.一种阵列基板，其包括驱动TFT和开关TFT，其特征在于：

所述驱动TFT包括多晶硅层、顶栅极和底栅极；

所述多晶硅层的两端分别与源极和漏极电连接；

所述顶栅极和所述底栅极分别设置在所述多晶硅层的上侧和下侧，用于减小所述漏极与所述源极之间的浮体效应；

所述顶栅极为铟镓锌氧化物，所述底栅极为金属栅极；

其中，所述顶栅极与所述开关TFT的沟道层位于同一层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：

所述多晶硅层设置于第一绝缘层的上侧、第一层间介质层的下侧，即所述第一绝缘层和所述第一层间介质层之间，第一缓冲层在所述第一绝缘层的下侧与其相邻设置，且所述底栅极设置于第一缓冲层与第一绝缘层之间；

其中，所述顶栅极设置在所述第一层间介质层的上侧。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：

还包括第二缓冲层；

所述第二缓冲层于所述第一层间介质层的上侧与其相邻设置，所述顶栅极于所述第二缓冲层的上侧与其相邻设置。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：

所述多晶硅层包括第一区域、第二区域和第三区域；

所述第一区域和所述第三区域设置在所述第二区域的两端，且所述第一区域和所述第三区域靠近所述第二区域与所述底栅极部分交叠；

其中，所述第一区域和所述第三区域为硼离子化结构；所述源极与所述漏极分别与所述第一区域和所述第三区域电连接。

5.制作权利要求1-4任一所述阵列基板的方法，其特征在于，其包括如下步骤：

在玻璃基板上涂覆柔性基底形成柔性基板，在所述柔性基板的上侧制作底栅极；

在所述底栅极的上侧沉积硅并进行多晶化和图形化处理形成多晶硅层；

在所述多晶硅层的上侧溅射顶栅极并图形化处理；

在所述顶栅极的上侧制作源极和漏极的通孔，溅射所述通孔并图形化处理。

6.根据权利要求5所述的制作阵列基板的方法，其特征在于，在玻璃基板上涂覆柔性基底形成柔性基板，在所述基板的上侧沉积底栅极的方法；

具体为，在玻璃基板上涂敷柔性基底形成柔性基板，在所述柔性基板上沉积所述底栅极，并制作第一绝缘层。

7.根据权利要求6所述的制作阵列基板的方法，其特征在于，在所述底栅极的上侧沉积硅并进行多晶化和图形化处理形成多晶硅层的方法；

还包括，在所述多晶硅层上制作第一层间介质层，在所述第一层间介质层上涂覆光刻胶后曝光显影，以剩余光刻胶做阻挡层对所述多晶硅层进行硼离子注入，形成P型TFT结构，完成后对剩余光刻胶进行剥离。

8.根据权利要求7所述的制作阵列基板的方法，其特征在于，在所述多晶硅层的上侧溅射顶栅极并图形化处理的方法；

具体为，在所述第一层间介质层上沉积氧化硅作为第二缓冲层，在所述第二缓冲层上溅射所述顶栅极并对其进行图形化处理和导体化处理。

9.一种显示面板，其特征在于，其包括：

权利要求1-8中任一所述的阵列基板。

10.一种电子设备，其特征在于，其包括：

权利要求9所述的显示面板。