[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板、电子设备

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、电子设备，涉及电子显示设备技术领域，解决了LTPO工艺中多晶硅有源层材料存在漏电流过高，在应用过程中容易发生浮体效应造成电容漏电，进而影响电路补偿电路，最终导致显示面板灰阶不均的问题。本发明的主要技术方案为：一种阵列基板，其包括驱动TFT和开关TFT：其中，驱动TFT包括多晶硅层、顶栅极和底栅极；多晶硅层的两端分别与源极和漏极电连接；顶栅极和底栅极分别设置在多晶硅层的上侧和下侧，用于减小漏极与源极之间的浮体效应。本发明将传统驱动TFT的顶栅结构改为包括顶栅极和底栅极的双栅结构，屏蔽了漏极电场对沟道和源极的影响，减小漏电流，减弱了浮体效应，促使显示面板灰阶均匀性提高。

技术领域

本发明涉及一种电子显示设备技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板、电子设备。

背景技术

在显示技术领域，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是指液晶显示器上的每一液晶像素点都是集成在其后的TFT来驱动，从而做到高速度高亮度高对比度显示屏幕信息；尤其是大尺寸、高分辨率以及高画质的平板显示装置，如液晶电视，在当前的平板显示器市场已经占据了主导地位；随着OLED(Organic Light-Emitting Diode)有机发光二极管在显示屏幕中的应用技术的发展，人们对显示装置的低功耗性能要求越来越高，存在驱动TFT和开关TFT且能实现较低能耗的LTPS(低温多晶硅)显示技术逐渐成为主流，与多晶硅显示技术相比，LTPS电子迁移率大，但也存在漏电流大的问题，所以现今设计者找到新的方案，即LTPO(Low Temperature Polycrystalline-Si Oxide)低温多晶氧化物工艺，是融合了LTPS(Low Temperature Poly Si，低温多晶硅)和IGZO(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)两个方案的特点，推出反应速度更快、功耗更低的LTPO方案。

参考附图1，LTPO工艺选取氧化物和多晶硅作为TFT器件的有源层材料，利用两种材料的固有特性提高器件的稳定性；但多晶硅固有的特性是存在漏电流过高的缺点：TFT沟道1存在一电学浮空区2，该区域是由于载流子在较大的V_Ds电压作用下，发生碰撞，电离产生电子-空穴对，电子被漏极吸引，空穴在沟道内积累形成浮体区，该区域会影响器件性能，在应用过程中容易发生浮体效应造成电容漏电，进而影响电路补偿效果，最终导致显示面板灰阶不均。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板、电子设备的方法，主要目的是解决LTPO工艺中多晶硅有源层材料存在漏电流过高，在应用过程中容易发生浮体效应造成电容漏电，进而影响电路补偿电路，最终导致显示面板灰阶不均的问题。

为达到上述目的，本发明主要提供如下技术方案：

一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，其包括驱动TFT和开关TFT：

其中，所述驱动TFT包括多晶硅层、顶栅极和底栅极；

所述多晶硅层的两端分别与源极和漏极电连接；

所述顶栅极和所述底栅极分别设置在所述多晶硅层的上侧和下侧，用于减小所述漏极与所述源极之间的浮体效应。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现；

可选的，前述的一种阵列基板，所述多晶硅层设置于第一绝缘层的上侧、第一层间介质层的下侧，即所述第一绝缘层和所述第一层间介质层之间，第一缓冲层在所述第一绝缘层的下侧与其相邻设置，且所述底栅极设置于第一缓冲层与第一绝缘层之间；

其中，所述顶栅极设置在所述第一层间介质层的上侧。

可选的，前述的一种阵列基板，所述第二缓冲层于所述第一层间介质层的上侧与其相邻设置，所述顶栅极于所述第二缓冲层的上侧与其相邻设置。