[发明专利]操作电阻存储装置的方法、电阻存储装置和存储系统

权利要求书

1.一种操作包括存储单元阵列的电阻存储装置的方法，所述方法包括：

由所述电阻存储装置响应于激活命令和写入命令来执行第一写入操作；以及

由所述电阻存储装置响应于写入激活命令和所述写入命令来执行第二写入操作，

其中，所述第一写入操作包括用于响应于所述激活命令来锁存从所述存储单元阵列读取的数据的读取数据评估操作，并且

其中，所述第二写入操作不包括所述读取数据评估操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一写入操作还包括用于响应于所述写入命令将读取数据与写入数据相比较的比较操作，并且

其中，所述第二写入操作不包括所述比较操作。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一写入操作中，所述电阻存储装置响应于所述激活命令转变到存储体激活状态并且响应于所述写入命令转变到写入模式状态。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述存储体激活状态中执行行译码操作和所述读取数据评估操作，并且

其中，所述行译码操作包括：

接收施加到所述电阻存储装置的存储体地址和行地址的操作；

激活与所述存储体地址相对应的存储体的操作；以及

激活通过译码所述行地址在激活的存储体中选择的字线的操作。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述读取数据评估操作包括读取并且锁存连接到被选择的字线的存储单元阵列的存储单元的数据的操作。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述写入模式状态中执行列译码操作、写入数据输入操作和比较操作，

其中，所述列译码操作包括接收并且译码施加到所述电阻存储装置的列地址的操作，

其中，所述写入数据输入操作包括接收施加到所述电阻存储装置的写入数据的操作，并且

其中，所述比较操作包括逐个比特地将读取数据与所述写入数据相比较的操作。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括所述电阻存储装置执行编程操作，用于在所述存储单元阵列中仅仅写入作为所述比较操作的结果被确定为与读取数据的比特不同的写入数据的比特。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二写入操作中，所述电阻存储装置响应于所述写入激活命令转变到预激活状态并且响应于所述写入命令转变到写入模式状态。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述预激活状态中执行行译码操作，并且

其中，所述行译码操作包括：

接收施加到所述电阻存储装置的存储体地址和行地址的操作；

激活与所述存储体地址相对应的存储体的操作；以及

激活通过译码所述行地址在激活的存储体中选择的字线的操作。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述写入模式状态中执行列译码操作和写入数据输入操作，

其中，所述列译码操作包括接收并且译码施加到所述电阻存储装置的列地址的操作，并且

其中，所述写入数据输入操作包括接收施加到所述电阻存储装置的写入数据的操作。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括用于在所述存储单元阵列中写入所述写入数据的所有比特的编程操作。

12.一种电阻存储装置，包括：

包括多个存储单元的存储单元阵列；

读取数据锁存器，被配置为基于读取数据评估操作来锁存从所述存储单元阵列的存储单元读取的数据；

写入数据锁存器，被配置为锁存将被写入所述存储单元阵列的存储单元中的写入数据；以及

控制电路，被配置为控制所述电阻存储装置执行包括所述读取数据评估操作的、基于激活命令和写入命令的第一写入操作，并且执行不包括所述读取数据评估操作的、基于写入激活命令和所述写入命令的第二写入操作。