[发明专利]操作电阻存储装置的方法、电阻存储装置和存储系统

说明书

提供一种操作包括存储单元阵列的电阻存储装置的方法。该方法包括：电阻存储装置响应于激活命令和写入命令来执行第一写入操作并且响应于写入激活命令和写入命令来执行第二写入操作。第一写入操作包括用于响应于激活命令锁存从存储单元阵列读取的数据的读取数据评估操作。第二写入操作不包括读取数据评估操作。

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年2月27日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0023899号韩国专利申请的优先权，该专利申请的公开通过引用被整体合并于此。

技术领域

本发明构思涉及一种非易失性存储装置，并且更具体地涉及一种能够减少写入等待时间的电阻存储装置以及操作其的方法和存储系统。

背景技术

非易失性存储装置可以包括电阻存储器，诸如相变RAM(PRAM)、电阻式RAM(RRAM)以及磁阻RAM(MRAM)。电阻存储器的存储单元包括基于电阻状态的变化来存储数据的可变电阻器。可以通过在多个位线和字线之间的交叉处安排这些存储单元来实现交叉点电阻存储装置。可以利用具有根据电流或电压的幅度和/或方向而变化的并且即使当电流或电压断开时也被不变地维持的电阻值的材料来实施电阻存储装置。电阻存储装置的存储单元可以包括至少一个电阻器和至少一个开关。通过控制连接到存储单元的字线和位线的电流或电压来改变电阻器的电阻值，可以将数据存储在存储单元中。

具体地，在相变存储装置中，花费很长时间来写入或编程数据。因此，能够减少写入等待时间的方法和系统是必需的。

发明内容

本发明构思的至少一个实施例提供一种操作电阻存储装置的方法，其能够通过减少数据写入操作时间来减少写入等待时间。

根据本发明构思的示例性实施例，提供一种操作包括存储单元阵列的电阻存储装置的方法。该方法包括：电阻存储装置响应于激活命令和写入命令来执行第一写入操作，以及响应于写入激活命令和写入命令来执行第二写入操作。第一写入操作包括用于响应于激活命令锁存从存储单元阵列读取的数据的读取数据评估操作。第二写入操作不包括读取数据评估操作。

根据本发明构思的示例性实施例，提供一种电阻存储装置，包括：包括多个存储单元的存储单元阵列；读取数据锁存器，被配置为基于读取数据评估操作锁存从存储单元阵列的存储单元读取的数据；写入数据锁存器，被配置为锁存将被写入存储单元阵列的存储单元中的写入数据；以及控制电路，被配置为控制电阻存储装置基于激活命令和写入命令执行包括读取数据评估操作的第一写入操作，并且基于写入激活命令和写入命令执行不包括读取数据评估操作的第二写入操作。

根据本发明构思的示例性实施例，提供一种存储系统，包括：包括多个存储单元的电阻存储装置，以及被配置为控制电阻存储装置的操作的存储器控制器。电阻存储装置另外包括：读取数据锁存器，被配置为锁存从存储单元读取的数据；写入数据锁存器，被配置为锁存将被写入存储单元中的写入数据，以及控制电路，被配置为控制电阻存储装置响应于从存储器控制器接收激活命令和写入命令来执行第一写入操作，并且响应于从存储器控制器接收写入激活命令和写入命令来执行第二写入操作。通过将读取数据的比特与写入数据的比特相比较以确定不同的比特并且将不同的数据比特写入到存储单元之一来执行第一写入操作，并且通过将写入数据的所有比特写入到该一个存储单元来执行第二写入操作。

附图说明

根据结合附图的以下详细描述将更清楚地理解本发明构思的实施例，其中：

图1是根据本发明构思的示例性实施例的、使用操作电阻存储装置的方法的存储单元的示意图；

图2是用于描述施加到图1的存储单元的写入脉冲的图；

图3A至图3C是用于描述图1的存储单元的特性的图；

图4是用于描述本发明构思的示例性实施例的存储系统的框图；