[发明专利]利用RF等离子场对EUV光学器件的主动净化的装置和方法

说明书

净化用于生成极紫外辐射的系统中的光学元件(30)的导电表面的装置和方法，其中导电表面被使用作为用于生成净化该表面的等离子体的电极。

本申请是申请日为2015年3月5日、申请号为201580013909.3、发明名称为“利用RF等离子场对EUV光学器件的主动净化的装置和方法”的发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求对2014年3月18日提交的美国专利申请序列号No.14/218,707的优先权，其通过引用以它的整体并入本文。

技术领域

本公开涉及从等离子体提供极紫外(“EUV”)光的EUV光源，该EUV光从目标材料所创建并且被EUV光学器件收集并定向到中间区域以便例如由光刻扫描仪/步进机在EUV光源腔室的外部加以利用。

背景技术

光刻被使用在半导体设备的制造中。在光刻中，被称作“光刻胶”的光敏材料涂覆诸如硅的晶片衬底。光刻胶可以被暴露于从掩模反射的光以再现掩模的图像，该图像被用来定义晶片上的图案。当晶片和掩模被照射时，光刻胶经历化学反应并且然后被显影以在晶片上产生掩模的复制图案。

极紫外(“EUV”)光，例如具有大致50nm或更少的波长的电磁辐射(有时也被称作软x射线)并且包括处于从大约11nm到大约15nm(例如，13.5nm)的范围中波长的光，能够被使用在光刻工艺中以在衬底(诸如，硅晶片)中产生极小特征。在这里以及其他地方，将理解，术语“光”被用来涵盖电磁辐射而不论其是否处于光谱的可见部分之内。

EUV光可以使用将在所期望的波长处高效辐射的小型热等离子体来产生。通常通过驱动透过目标材料的脉冲放电(放电产生的等离子体或“DPP”)，或者通过将脉冲激光束聚焦于目标材料上(激光产生的等离子或“LPP”)，可以在真空腔室中创建等离子体。目标材料优选地包括在光谱的EUV部分中具有一条或多条发射谱线的至少一种元素，例如氙、锂或锡。由等离子体产生的光然后被附近的EUV光学器件(诸如，镜)收集并且向下游发送至光刻工具的其余部分。

热等离子体趋向于侵蚀附近的材料，例如放电源中的电极或激光产生的等离子体中的气体输送系统的组件。被侵蚀的材料可能涂覆EUV光学器件，导致反射率的损失并且减少可用于光刻的光量。此外，未汽化的目标材料形式的碎屑可能污染EUV光学器件的表面。净化EUV光学器件的表面则变得有必要。一种用于净化EUV光学器件的已知技术是使用利用高频RF电场生成的等离子体，即RF等离子体。然而，等离子体净化的实际实施方式提出了重大的技术挑战。真实LPP源的空间约束使得非常难以在不负面影响其他源功能(诸如，引起EUV收集角度的不合意减小或者从被引入以创建RF等离子体的新组件所散布的碎屑)的情况下实施等离子体净化。

鉴于上文，申请人公开了用于净化激光产生的等离子体EUV光源中的光学器件的系统和方法。

发明内容

下文提出了一个或多个实施例的简化概述以便提供对实施例的基本理解。这一概述不是所有考虑到的实施例的全面概览，并且不意图为识别所有实施例的关键或重要元素，也没有划定任何或全部实施例的范围。它的唯一目的是以简化形式提出一个或多个实施例的一些概念，作为稍后提出的更详细描述的序言。

根据一个方面，提供了一种EUV光学元件，其具有导电表面和导电构件，导电构件邻近于导电表面布置并且电耦合到导电表面，导电表面和导电构件关于彼此被布置以使得等离子体在RF功率被供应至导电构件时被产生，该等离子体能够从导电表面的至少一部分去除污染物。导电构件充分接近于导电表面从而能够将RF能量耦合至导电表面，并且甚至可以与导电表面物理接触。包括射频驱动器电路的电源可以电连接至导电构件。

导电构件可以为板形状并且被整形为符合于导电表面的形状。导电表面可以为圆形并且具有中心孔隙，在这种情况下，导电构件可以跨越除了中心孔隙之外的导电表面的直径。导电表面还可以具有遮蔽，在这种情况下，导电构件可以位于该遮蔽之内。