[发明专利]一种叠层片式电子元器件的加工方法

权利要求书

1.一种叠层片式电子元器件的加工方法，其特征是，包括如下步骤：

S1、在多层基板的上下表面分别叠压至少一层碳基牺牲片，所述多层基板由多个表面印刷有电路的单层生瓷片加工而成，所述碳基牺牲片由如下步骤制得：

A. 将如下重量比的各组分：石墨粉:溶剂:粘合剂:分散剂=40:50:5.3:1制成浆料，所述浆料的粘度在17~23s范围内，其中，所述溶剂是醋酸丙酯与异丁醇按重量比1:3配置而成，所述粘合剂为PVB树脂，所述分散剂为表面活性剂1757；

B.将所述浆料流延在一基底上，待所述溶剂干燥后，去除所述基底，得到所述碳基牺牲片；

S2、将所述步骤S1形成的产品进行等静压处理；

S3、将经过步骤S2的等静压后的产品切割成单个元件，切割形成的单个元件中，所述碳基牺牲片仍保留在单个元件的上下表面，所述碳基牺牲片可以在切割过程中有效保护基板表面，即在切割过程中，即使会造成缺损，其缺损部分也只发生在所述碳基牺牲片上，所述多层基板不会有缺损；

S4、将经过步骤S3切割后的产品采用压烧工艺进行烧结，烧结温度为890~905℃，所述碳基牺牲片在烧结过程中完全分解消失后，得到所述叠层片式电子元器件；

所述方法可以防止切割损伤。

2.如权利要求1所述的叠层片式电子元器件的加工方法，其特征是，所述多层基板的上下表面的每层碳基牺牲片的厚度各自独立地为0.05~0.2mm。

3.如权利要求1所述的叠层片式电子元器件的加工方法，其特征是，所述步骤S2中等静压处理的压力在10~30MPa。

4.如权利要求1所述的叠层片式电子元器件的加工方法，其特征是，所述步骤S1中的叠压采用真空热叠压工艺，其中，温度为55~70℃、真空度为-100.0~-100.6KPa。

5.如权利要求1所述的叠层片式电子元器件的加工方法，其特征是，所述多层基板的上下表面的碳基牺牲片各自独立地为2层。