[发明专利]一种叠层片式电子元器件的加工方法

说明书

本发明公开了一种叠层片式电子元器件的加工方法，包括如下步骤：S1、在多层基板的上下表面分别叠压至少一层碳基牺牲片，所述多层基板由多个表面印刷有电路的单层生瓷片加工而成；S2、将所述步骤S1形成的产品进行等静压处理；S3、将经过步骤S2的等静压后的产品切割成单个元件；S4、将经过步骤S3切割后的产品进行烧结，所述碳基牺牲片在烧结过程中完全分解消失后，得到所述叠层片式电子元器件。本发明的方法可以防止切割损伤，无需在生产线增加新的设备，具有成本低、效率高等优点，适合现有的叠层片式电子元器件的大批量加工。

技术领域

本发明涉及电子元器件的加工，尤其是涉及一种叠层片式电子元器件的加工方法。

背景技术

低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic，LTCC)技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术，已经成为无源集成的主流技术，具有一致性好，精度高的优点。LTCC生产过程中，层压是实现单层生瓷印刷电路到多层电路坯体成型的重要步骤，同时也是影响表面形貌的重要工序。但现有技术中的层压后的基板由于材料强度不足，或者层压工艺的影响，在后续切割工序中易在基板表面附近产生缺损现象，此现象影响了加工成型器件的外观以及可靠性。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种叠层片式电子元器件的加工方法，其可以防止切割缺损。

本发明的目的通过下述技术方案实现：

一种叠层片式电子元器件的加工方法，包括如下步骤：

S1、在多层基板的上下表面分别叠压至少一层碳基牺牲片，所述多层基板由多个表面印刷有电路的单层生瓷片加工而成；

S2、将所述步骤S1形成的产品进行等静压处理；

S3、将经过步骤S2的等静压后的产品切割成单个元件；

S4、将经过步骤S3切割后的产品进行烧结，所述碳基牺牲片在烧结过程中完全分解消失后，得到所述叠层片式电子元器件。

优选地，所述多层基板的上下表面的每层碳基牺牲片的厚度各自独立地为0.05～0.2mm。

优选地，所述碳基牺牲片由如下步骤制得：

A.将如下重量比的各组分：石墨粉:粘合剂:分散剂＝40～50:5～6:1加入溶剂中制成浆料，所述浆料的粘度在17～23s范围内；

B.将所述浆料流延在一基底上，待所述溶剂干燥后，去除所述基底，得到所述碳基牺牲片。

优选地，所述步骤S2中等静压处理的压力在10～30MPa。

优选地，所述步骤S4中的烧结采用压烧工艺，烧结温度为890～905℃。

优选地，所述步骤S1中的叠压采用真空热叠压工艺，其中，温度为55～70℃、真空度为-100.0～-100.6KPa。

优选地，所述多层基板的上下表面的碳基牺牲片各自独立地为2层。

优选地，所述溶剂是醋酸丙酯与异丁醇按重量比1:3配置而成。

优选地，所述粘合剂为丙烯酸树脂、乙基纤维素或PVB树脂；所述分散剂为表面活性剂1757。

优选地，所述浆料中，石墨粉、溶剂、粘合剂和分散剂的重量比为：石墨粉:溶剂:粘合剂:分散剂＝40:50:5.3:1。