[发明专利]被加工物的加工方法在审
申请号: | 201910128396.0 | 申请日: | 2019-02-21 |
公开(公告)号: | CN110211926A | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 上里昌充 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 被加工物 芯片 正面保护 保护部件 背面磨削 加热步骤 粘接材料 磨削屑 磨削 收缩 硬化 变质层形成步骤 加工 分割区域 浸入 变质层 分割 附着 背面 侧面 覆盖 | ||
1.一种被加工物的加工方法,将在正面上的由呈格子状形成的分割预定线划分的区域内形成有功能元件的被加工物沿着分割预定线分割成各个芯片,其特征在于,
该被加工物的加工方法包含如下的步骤:
正面保护步骤,利用正面保护部件覆盖该被加工物的正面的形成有该功能元件的区域;
保护部件加热步骤,使该正面保护部件的粘接材料硬化收缩;
变质层形成步骤,从该被加工物的背面侧沿着分割预定线照射对于该被加工物具有透过性的激光光线,在比相当于芯片的完工厚度的位置靠背面侧的位置形成变质层;
背面磨削步骤,对形成有变质层的被加工物的背面进行磨削,形成为芯片的完工厚度;以及
保护部件扩展步骤,将该被加工物分割成各个芯片,并且使芯片的间隔扩展,
通过利用保护部件加热步骤使该正面保护部件的该粘接材料硬化收缩,从而在被加工物上形成有在该背面磨削步骤中不会完全进行芯片分割的未分割区域。
2.根据权利要求1所述的被加工物的加工方法,其特征在于,
所述正面保护部件是粘接带。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造