[发明专利]被加工物的加工方法

说明书

提供被加工物的加工方法，将被加工物形成为完工厚度，确保包含磨削屑的磨削水不会浸入相邻的芯片间的间隙。该被加工物的加工方法包含：正面保护步骤，利用正面保护部件(1)覆盖被加工物(W)的正面(Wa)；保护部件加热步骤，使正面保护部件的粘接材料硬化收缩；变质层形成步骤，在被加工物的内部形成变质层(M)；背面磨削步骤，对被加工物的背面(Wb)进行磨削，形成为芯片的完工厚度；和保护部件扩展步骤，将被加工物分割成各个芯片(C)并使芯片的间隔(7)扩展，通过利用保护部件加热步骤使正面保护部件的粘接材料硬化收缩，从而在被加工物上形成有在背面磨削步骤不会完全进行芯片分割的未分割区域，在背面磨削时不在芯片间产生间隙，防止磨削屑附着于芯片的侧面。

技术领域

本发明涉及被加工物的加工方法。

背景技术

在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的被加工物的正面上的由呈格子状排列的被称为间隔道的分割预定线划分出多个区域，在该所划分的区域中形成有IC、LSI等电路(功能元件)。并且，沿着分割预定线将被加工物切断，从而对形成有电路的区域进行分割而制造各个芯片。

作为沿着分割预定线将被加工物切断的方法，有如下的激光加工方法：使聚光点会聚至要分割的区域的内部而照射对于被加工物具有透过性的脉冲激光光线。在使用该激光加工方法的分割方法中，使聚光点从被加工物的一个面侧会聚至内部而照射对于被加工物具有透过性的红外光区域的脉冲激光光线，在被加工物的内部沿着分割预定线连续地形成变质层，通过沿着因形成该变质层而使强度降低的分割预定线对被加工物的背面进行磨削的应力，能够使被加工物断裂而分割成各个芯片(例如，参照下述专利文献1)。

专利文献1：日本特许4733934号公报

但是，在所分割的芯片间产生间隙，因此当在芯片分割之后实施磨削直至达到完工厚度时，包含磨削屑的磨削水会浸入至芯片间的间隙而使磨削屑附着于芯片侧面。附着于芯片侧面的磨削屑即使利用磨削装置的清洗机构进行清洗，也非常难以去除。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供被加工物的加工方法，即使将被加工物形成为完工厚度，包含磨削屑的磨削水也不会浸入至相邻的芯片间的间隙。

本发明是被加工物的加工方法，将在正面上的由呈格子状形成的分割预定线划分的区域形成有功能元件的被加工物沿着分割预定线分割成各个芯片，其特征在于，该被加工物的加工方法包含如下的步骤：正面保护步骤，利用正面保护部件覆盖该被加工物的正面的形成有该功能元件的区域；保护部件加热步骤，使该正面保护部件的粘接材料硬化收缩；变质层形成步骤，从该被加工物的背面侧沿着分割预定线照射对于该被加工物具有透过性的激光光线，在比相当于芯片的完工厚度的位置靠背面侧的位置形成变质层；背面磨削步骤，对形成有变质层的被加工物的背面进行磨削，形成为芯片的完工厚度；以及保护部件扩展步骤，将该被加工物分割成各个芯片，并且使芯片的间隔扩展，通过利用保护部件加热步骤使该正面保护部件的该粘接材料硬化收缩，从而在被加工物上形成有在该背面磨削步骤中不会完全进行芯片分割的未分割区域。优选所述正面保护部件是粘接带。

本发明的被加工物的加工方法构成为包含如下的步骤：正面保护步骤，利用正面保护部件覆盖被加工物的正面的形成有功能元件的区域；保护部件加热步骤，使正面保护部件的粘接材料硬化收缩；变质层形成步骤，从被加工物的背面侧沿着分割预定线照射对于被加工物具有透过性的激光光线，在比相当于芯片的完工厚度的位置靠背面侧的位置形成变质层；背面磨削步骤，对形成有变质层的被加工物的背面进行磨削，形成为芯片的完工厚度；以及保护部件扩展步骤，将被加工物分隔成各个芯片，并且使芯片的间隔扩展，通过利用保护部件加热步骤使正面保护部件的粘接材料硬化收缩，从而在被加工物上形成有在背面磨削步骤中不会完全进行芯片分割的未分割区域，因此防止背面磨削时从变质层产生的龟裂延伸至被加工物的正面，从而不在芯片间产生间隙。这样，根据本发明，能够防止包含磨削屑的磨削水侵入芯片侧面，能够防止磨削屑附着于芯片侧面。在上述正面保护部件由粘接带构成的情况下，能够容易地实施上述正面保护步骤。