[发明专利]制造半导体结构的方法在审
| 申请号： | 201910129361.9 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111128726A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 麦特西亚斯·帕斯拉克;马汀·克里斯多福·荷兰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 结构 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，包含：
形成一半导体层，其中该半导体层包含一源极/漏极区域；
共形地选择性地生长一第一磊晶层于该半导体层上；
形成一第二磊晶层于该第一磊晶层上；以及
形成一接触层于该第二磊晶层上，其中该第一磊晶层、该第二磊晶层和该接触层定义该源极/漏极区域的一接触结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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