[发明专利]制造半导体结构的方法

说明书

一种制造半导体结构的方法，包含形成半导体层，其中半导体层包含源极/漏极区域。在半导体层上共形地选择性地生长第一磊晶层，在第一磊晶层上方形成第二磊晶层，以及在第二磊晶层上形成接触层，其中第一磊晶层、第二磊晶层和接触层定义用于源极/漏极区域的接触结构。

技术领域

本揭露涉及一种制造半导体结构的方法。

背景技术

在半导体技术中，III-V族半导体化合物(例如，铟镓砷(InGaAs))用于形成各种集成电路装置(例如，高功率场效应晶体管、高频晶体管、高电子移动率晶体管(highelectron mobility transistors,HEMT)。高电子移动率晶体管是一种场效应晶体管，其结合了具有不同能隙的两种材料之间的接面以形成通道。这种接面有时被称为异质接面(heterojunction)。高电子移动率晶体管具有许多吸引人的特性，包含例如高电子迁移率、高频信号传输能力等。

发明内容

本揭露提供一种制造半导体结构的方法，包含：形成半导体层，其中半导体层包含源极/漏极区域；共形地选择性地生长第一磊晶层于半导体层上；形成第二磊晶层于第一磊晶层上；以及形成接触层于第二磊晶层上，其中第一磊晶层、第二磊晶层和接触层定义源极/漏极区域的接触结构。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本揭露的各方面。应注意，根据工业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚讨论，可以任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1至图7是根据一个或多个实施例中处于各个制造阶段的半导体结构的图示；

图8绘示根据一个或多个实施例的半导体结构；

图9至图18是根据一个或多个实施例中处于各个制造阶段的半导体结构的图示；

图19绘示根据一个或多个实施例的半导体结构。

具体实施方式

以下公开内容提供了用于实现所提供主题的不同特征的许多不同实施例或示例。以下描述元件和配置的具体示例以简化本揭露。当然，这些仅仅是示例，而不是限制性的。例如，在随后的描述中，在第二特征之上或上方形成第一特征可以包括其中第一特征和第二特征以直接接触形成的实施例，并且还包括可以在第一特征和第二特征之间形成附加特征，使得第一特征和第二特征不直接接触的实施例。另外，本揭露可以在各种示例中重复参考数字和/或文字。此重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身并不表示所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。

此外，这里可以使用空间相对术语，例如“在…下方”、“下方”、“低于”、“在…上方”、“高于”等，以便于描述一个元件或特征与如图所示的另一个元件或特征的关系。除了图中所示的取向之外，空间相对术语旨在包括使用或步骤中的装置的不同取向。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方向上)，并且同样可以相应地解释这里使用的空间相对描述符号。

本文提供了一种或多种用于制造半导体结构的技术。在部分实施例中，半导体结构包含用于高电子移动率晶体管的源极/漏极区域的接触结构。

请参阅图1，其绘示根据部分实施例中用于形成半导体结构的多个层。在部分实施例中，半导体结构包含在高电子移动率晶体管中的欧姆接触。在基板102上形成多个层。在部分实施例中，基板102包含磊晶层、单晶半导体材料(例如，但不限于硅(Si)、锗(Ge)、硅锗(SiGe)、铟镓砷(InGaAs)、镓砷(GaAs)、铟鍗(InSb)、镓磷(GaP)、镓鍗(GaSb)、铟铝砷(InAlAs)、镓鍗磷(GaSbP)、镓砷鍗(GaAsSb)和铟磷(InP))、绝缘体上硅(silicon-on-insulator,SOI)结构、晶片或由晶片形成的晶粒(die)中的至少一种。在部分实施例中，基板102包含任何III-V族或II-VI族半导体中的一种。在部分实施例中，基板102包含晶体硅。