[发明专利]一种铜基自支撑CuO-Cu2O复合阵列钠离子负极材料的制备方法

权利要求书

1.一种铜基自支撑CuO-Cu₂O复合阵列钠离子负极材料制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）泡沫铜基底在反应前依次用去离子水、无水乙醇和HCl清洗，去除泡沫铜基底表面油污以及氧化层；

（2）将过硫酸铵和氢氧化钠依次溶于去离子水中，放入步骤（1）所述的泡沫铜基底，再转入水热釜中，恒定温度下反应6-8 h；

（3）待步骤（2）的反应产物自然冷却后将泡沫铜取出，用去离子水洗涤后放在真空干燥，之后将其在高温下煅烧得到最终产物。

2.根据权利要求1所述的铜基自支撑CuO-Cu₂O复合阵列钠离子负极材料制备方法，其特征在于，过硫酸铵和氢氧化钠的摩尔比为0.038-0.042：1。

3.根据权利要求1所述的铜基自支撑CuO-Cu₂O复合阵列钠离子负极材料制备方法，其特征在于，所述的HCl溶液浓度为1-3 M。

4.根据权利要求1所述的铜基自支撑CuO-Cu₂O复合阵列钠离子负极材料制备方法，其特征在于，步骤（2）中水热反应温度为120-150℃，水热反应时间为8-12h。

5.根据权利要求1所述的铜基自支撑CuO-Cu₂O复合阵列钠离子负极材料制备方法，其特征在于，步骤（3）中的煅烧是以升温速率为3-5℃/min，升温至300-350℃后烧结1-2h所得，煅烧过程在N₂气体保护下展开。

6.根据权利要求1所述的铜基自支撑CuO-Cu₂O复合阵列钠离子负极材料制备方法，其特征在于，所述的铜基自支撑CuO-Cu₂O复合阵列材料为纳米片状形貌，其在铜基底上的生长厚度为2-5 μm，纳米片长度为0.1-2 μm，厚度为10-100 nm。

7.根据权利要求1所述的铜基自支撑CuO-Cu₂O复合阵列钠离子负极材料制备方法，其特征在于，所述的铜基自支撑CuO-Cu₂O复合阵列材料具有多孔结构，孔径分布为0.5-500 nm，比表面积为2-50 m² g^-1。