[发明专利]一种基板和显示装置

权利要求书

1.一种基板，包括走线区，所述走线区内在同一平面上方设置有第一导线和第二导线，所述第一导线和所述第二导线相邻且间隔，所述第一导线和所述第二导线中含有在电势差和水汽作用下会发生迁移的金属材料，所述第一导线和所述第二导线在工作状态时存在电势差，其特征在于，还包括第一阻隔结构，所述第一阻隔结构设置于所述第一导线或所述第二导线所在位置，所述第一阻隔结构能使所述第一导线和所述第二导线位于垂直于所述基板厚度方向的不同平面上，且能阻隔水汽入侵，并能阻挡所述第一导线和所述第二导线中的金属材料发生迁移；

所述基板还包括绑定区，所述绑定区内在同一平面上设置有第一绑定端和第二绑定端，所述第一绑定端和所述第二绑定端相邻且间隔，所述第一绑定端和所述第二绑定端中含有在电势差和水汽作用下会发生迁移的金属材料，所述第一绑定端和所述第二绑定端在工作状态时存在电势差；

所述基板还包括第二阻隔结构，所述第二阻隔结构设置于所述第一绑定端和所述第二绑定端所在平面上，且位于所述第一绑定端和所述第二绑定端之间的间隔区，所述第二阻隔结构能阻隔水汽入侵，并能阻挡所述第一绑定端和所述第二绑定端中的金属材料发生迁移；

所述第一阻隔结构包括第一阻隔层；所述第一阻隔层设置于所述第一导线或所述第二导线的下方；

所述第一阻隔结构还包括第二阻隔层，所述第一阻隔结构的所述第一阻隔层和所述第二阻隔层分设于所述第一导线或所述第二导线的上下两侧；

所述第二阻隔结构包括第一阻隔层和第二阻隔层；所述第二阻隔结构的所述第一阻隔层和所述第二阻隔层相互叠置。

2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第一导线的线宽小于所述第二导线的线宽；

所述第一阻隔结构的所述第一阻隔层设置于所述第二导线的下方，且所述第一阻隔层与所述第一导线位于同一平面上，所述第一阻隔结构的所述第二阻隔层设置于所述第二导线上方。

3.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述第一导线和所述第二导线的结构及厚度相同，所述第一导线包括自下而上依次叠置的第一子膜层、第二子膜层和第三子膜层，所述第二子膜层采用会发生迁移的金属材料；

所述第一阻隔结构的所述第一阻隔层的厚度大于或等于所述第二子膜层的厚度且小于所述第一导线的厚度。

4.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述第二导线在其所在平面上的正投影与所述第一阻隔结构的所述第一阻隔层在该平面上的正投影重合；

所述第二导线在其所在平面上的正投影与所述第一阻隔结构的所述第二阻隔层在该平面上的正投影重合。

5.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第二阻隔结构的所述第一阻隔层与所述第一绑定端和所述第二绑定端位于同一平面上；

所述第一绑定端与所述第二绑定端的结构及厚度相同，所述第一绑定端包括自下而上依次叠置的第一子膜层、第二子膜层和第三子膜层，所述第二子膜层采用会发生迁移的金属材料；

所述第二阻隔结构的所述第一阻隔层的厚度大于或等于所述第一子膜层和所述第二子膜层的厚度之和且小于所述第一绑定端的厚度。

6.根据权利要求2或5所述的基板，其特征在于，所述第一阻隔层采用二氧化硅或氮化硅材料；所述第二阻隔层采用氧化铟锡材料。

7.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第一导线有多条，所述第二导线有多条；多条所述第一导线和多条所述第二导线相互交替分布；所述第一导线在工作状态时保持较高电势，所述第二导线在工作状态时保持较低电势；

所述第一绑定端有多个，所述第二绑定端有多个；多个所述第一绑定端和多个所述第二绑定端相互交替分布；所述第一绑定端在工作状态时保持较高电势，所述第二绑定端在工作状态时保持较低电势；

所述第一绑定端与所述第一导线一一对应连接；所述第二绑定端与所述第二导线一一对应连接。