[发明专利]基于雪崩光电二极管的光检测传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于雪崩光电二极管的光检测传感器，包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的雪崩光电二极管APD；其中，所述雪崩光电二极管包括水平的N+型区、P型区、I型区、P+型区，所述P+型区的高度大于所述雪崩光电二极管的其它分区的高度且所述P+型区用于接受光照；还包括：

所述雪崩光电二极管的控制电路；

位于所述衬底基板和所述控制电路的MOS器件之间的遮光层以及雪崩光电二极管的隔垫层。

2.根据权利要求1所述的光检测传感器，其特征在于，还包括：

垫于所述遮光层和MOS器件之间，以及垫于所述衬底基板和雪崩光电二极管之间的缓冲层。

3.根据权利要求2所述的光检测传感器，其特征在于，还包括：

覆盖所述APD和MOS器件的源极、漏极和半导体沟道的GI层；

覆盖于所述GI层和MOS器件的栅极上的绝缘层；

穿过所述绝缘层和GI层的所述MOS器件的源极、漏极的电极连接线，以及所述APD的P+型区、N+型区的电极连接线；

其中，所述APD的P+型区的电极连接线的横截面小于所述APD的P+型区的横截面，为所述APD的P+型区留有接受光照的区域。

4.一种基于雪崩光电二极管的光检测传感器的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成雪崩光电二极管APD的多晶硅区域；

对所述APD的多晶硅区域中水平的第二、四、一分区分别进行P、P+、N+掺杂，形成所述APD的P型区、P+型区、N+型区，并形成第二、四分区之间的第三分区的所述APD的I型区，所述P+型区的高度大于所述雪崩光电二极管的其它分区的高度且所述P+型区用于接受光照；

其中，所述在衬底基板上形成雪崩光电二极管APD的多晶硅区域包括：在所述衬底基板上形成所述雪崩光电二极管的控制电路的MOS器件的遮光层以及所述APD的隔垫层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成雪崩光电二极管APD的多晶硅区域，具体包括：

在所述衬底基板上沉积一层遮光LS层；

对所述LS层进行一次构图工艺，形成所述雪崩光电二极管的控制电路的MOS器件的遮光层以及所述APD的隔垫层；

在所述衬底基板上沉积一层覆盖所述MOS器件的遮光层以及所述APD的隔垫层的缓冲层；

在所述衬底基板上的缓冲层上沉积一层非晶硅；

对所述非晶硅在对应所述APD的区域进行区域晶化后，进行掩膜、刻蚀，形成所述APD的多晶硅区域。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述对所述非晶硅在对应所述APD的区域进行区域晶化时，还包括：

对所述非晶硅在对应所述雪崩光电二极管的控制电路的MOS器件的区域进行区域晶化；以及

在所述进行掩膜、刻蚀，形成所述APD的多晶硅区域时，还包括：形成所述MOS器件的多晶硅区域。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对所述APD的多晶硅区域中水平的第二、四、一分区分别进行P、P+、N+掺杂时，还包括：

对所述MOS器件的多晶硅区域的两端进行P+/N+掺杂，形成所述MOS器件的源极和漏极。