[发明专利]一种光瞳评价方法及其系统、电子装置

说明书

本发明涉及一种光瞳评价方法及其系统、电子装置，在所述光瞳评价方法及其系统中，基于生成的测试图形集合及与待评价的光瞳对应的光学模型，获得符合预期要求的关键图形，并通过仿真处理，可以建立起与对应待评价的光瞳相匹配的X方向非均衡度、Y方向非均衡度、椭圆度数值与光刻性能之间的关系，从而可提供光瞳参数对光刻性能的影响大小的直观理解。在本发明中，通过获取与所述待评价的光瞳匹配的光学模型，可以针对待评价的光瞳从而仿真出对应的测试图形，基于筛选获得的测试图形，可以进一步获得与待评价的光瞳的对应的X方向非均衡度、Y方向非均衡度及椭圆度。

【技术领域】

本发明涉及光刻技术领域，本发明特别地涉及一种光瞳评价方法及其系统、电子装置。

【背景技术】

光刻工艺是现代极大规模集成电路制造过程中最重要的制造工艺，即通过光刻机将掩模上集成电路的设计图形转移到硅片上的重要手段。随着特征尺寸逐渐缩小，可用于制造的工艺窗口越来越小，整个光刻工艺过程都需要做到精准控制，对光刻过程各部分硬件、软件都提出了更严格的挑战，比如光瞳、像差、掩模台和工件台等震动水平等等。

但是，由于硬件制造的缺陷性，实际中不会有理想的完美对称的光瞳，通常光瞳都会一定的非均衡度，现有的光瞳非均衡度是一个数值，这个数字很难给出直观上的理解，比如对实际光刻工艺造成多大误差，而且难以给出直观的光瞳对光刻性能影响的参考值。

因此，需要给出一种定量的、可体现出光刻性能的光瞳评价方案。

【发明内容】

为克服上述的技术问题，本发明提供一种新型的光瞳评价方法及其系统，电子装置。

为解决上述技术问题，本发明提供一技术方案如下：一种光瞳评价方法，其包括以下步骤：步骤S1，获取测试图形集合；步骤S2，提供待评价的光瞳，获取与所述光瞳匹配的光学模型；步骤S3，利用步骤S2中的光学模型对步骤S1中的所有测试图形进行仿真处理，以选取预设数量符合光刻性能要求及预设需求的关键图形；及步骤S4，对步骤S3中获得的关键图形进行分析处理以获得关键图形的仿真结果，其中，仿真结果对应于所述待评价的光瞳的X方向非均衡度、Y方向非均衡度及椭圆度；上述步骤S1与步骤S2的顺序可互换或可同时进行。

优选地，在上述步骤S3中，选取预设数量符合光刻性能要求及预设需求的关键图形的步骤包括：基于所述测试图形的图像对数斜率和工艺窗口的大小在所有测试图形中选取部分符合光刻性能要求的测试图形；及在符合光刻性能要求的测试图形中，选取满足预设需求的关键图形。

优选地，上述步骤S4中具体包括以下步骤：步骤S41，获得步骤S3中选取的每一关键图形对应X正方向的边缘位置误差EPE(X⁺)与X负方向的边缘位置误差EPE(X^-)之差diff(X)，基于所有选取的关键图形的差值diff(X)运算获得其对应的方均根X_RMS；步骤S42，获得步骤S3中选取的每一关键图形对应Y正方向的边缘位置误差EPE(Y⁺)与Y负方向的边缘位置误差EPE(Y^-)之差diff(Y)，基于所有选取的关键图形的差值diff(Y)运算获得其对应的方均根Y_RMS；及步骤S43，获得步骤S3中选取的每一关键图形对应在X方向上对称线条的关键尺寸CD_X与在Y方向上对称线条的关键尺寸CD_Y之差diff(E)，计算出所有选取的关键图形的差值diff(E)的方均根，以获得选取的所有关键图形对应的方均根E_RMS；其中，步骤S41、步骤S42及步骤S43可为任意顺序或可同时进行。