[发明专利]阻式存储器的误码率测试方法有效
申请号: | 201910134609.0 | 申请日: | 2019-02-23 |
公开(公告)号: | CN109859788B | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 赵毅;高世凡;陈冰 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00;G11C29/42 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 刘静;邱启旺 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 误码率 测试 方法 | ||
本发明公开了一种阻式存储器的误码率测试方法。存储器的商业化应用需要保证极低的误码率,这一测试需要重复大量的擦写过程并进行分析,从而需要大量的时间,因此对此过程进行加速是有意义的。本发明利用任意波形发生器调节读取波形的长度为特定值,从而在和选取信号在示波器内点积后能够生成一个只包含读取信息的特定波形。这一特定波形允许在调节示波器采样率后滤去读取信息以外的波形,将信息的冗余度降到理论最低值,从而增大了误码率测试的通量。
技术领域
本发明总体上属于存储器测试领域,更具体的,涉及阻式存储器的可靠性测试。
背景技术
基于电阻值的阻式存储器是一类常见的非挥发性存储器,是一种在无源条件下能长时间记录数据的技术。对于阻式存储器的基本操作有两种,擦写和读取。由于器件的热力学和本身机理所带来的随机性,擦写操作和读取操作都会造成一定程度的误码率。对于擦写过程,误码表现为写入失败,即存储单元的状态在擦写前后不发生改变。对于读取过程,误码表现为写入成功,即存储单元的状态在读取前后发生了改变。对于商业化的阻式存储器,由于使用误码修正码(Error Correction Code),低于一定阈值的误码率是可以接受的。业内公认的这一误码率阈值为10-6,即每一百万次操作中有一次误码。误码率的测试是任何存储器商业化的关键可靠性数据,但这一要求意味着极大的数据量和相应极长的测试时间。将这一关键测试的时间大大降低因此是十分有意义的。传统的误码率分析使用固定读取时间长度,且这一时间长度和实际电路中的时序保持一致,通常是一个远小于所述存写序列单元长度的数值。因此,示波器必须以较高的采样率运行,以捕捉所述读取阶段器件上的电流,从而获得器件的状态。这一高采样率直接使得原本较高的数据量进一步大为增加。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足,提供一种阻式存储器的误码率测试方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:一种阻式存储器的误码率测试方法,所述方法包括:
在测试系统中;
所述测试系统的任意波形发生器输出为两个信号,分别为存写信号及选取信号;
所述测试系统的示波器输入为两个信号,分别为所述存写信号经过阻式存储器的激发电流及所述选取信号;
所述示波器的数学通道的数据为所述激发电流和所述选取信号的点积结果;
在计算机中,接收点积结果,并进行误码率分析给出误码率。
进一步地,所述测试系统是基于探针台、晶圆和无源探针的,并且不使用独立的有源放大器或无源放大器。
进一步地,所述存写信号的存写序列单元分为初始化阶段、写入阶段、等待阶段以及读取阶段;
所述误码率的对象是所述写入阶段的,所述写入阶段的电压幅值可以是擦写电压幅值,或者读取电压幅值,也可以是任意的波形。
进一步地,所述读取阶段的时间长度接近所述存写序列长度的一半。
进一步地,所述选取信号的选取序列单元分为高电平阶段和低电平阶段。
进一步地,所述高电平阶段的时间位置是所述读取阶段的时间位置的子集。
进一步地,获得所述点积结果的计算操作是在所述示波器内部的高速数学运算单元内完成的。
进一步地,所述示波器的采样率不大于50倍如下数值,即所述存写信号的所述读取阶段的两倍的倒数;且如果本次采样位于所述读取阶段的时间位置,则下一次采样不能进入下一所述存写序列单元的读取阶段的时间位置。
进一步地,所述计算机中的误码率分析使用并行计算架构。
进一步地,所述误码率分析使用分类器算法。
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