[发明专利]一种APS等离子制备氮化铝粉末的方法及氮化铝粉末和应用有效
申请号: | 201910135349.9 | 申请日: | 2019-02-20 |
公开(公告)号: | CN109650897B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 陈焕涛;朱晖朝;黄健;张忠诚;况敏;黄仁忠;刘加宋;张玉桧;王昊 | 申请(专利权)人: | 广东省新材料研究所 |
主分类号: | C04B35/581 | 分类号: | C04B35/581;C04B35/626;H01L23/15;H01L23/373 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 李永宏 |
地址: | 510651 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 aps 等离子 制备 氮化 粉末 方法 应用 | ||
本发明涉及一种APS等离子制备氮化铝粉末的方法及氮化铝粉末和应用,属于材料技术领域。一种APS等离子制备氮化铝粉末的方法,包括:采用APS等离子喷枪对经过预处理的铝粉进行氮气送粉,氮气的气体流量为20±2L/min。该方法使得铝粉在等离子体的过程中,在氮气的环境中,Al的核电子膜层与N核电子膜层形成稳定的AlN化学键,形成AlN粉末。得到的AlN粉末粒度细、耐磨性好、强度高,具有较高的品质。该制备方法灵活性强,操控简便,可以实现产量化。
技术领域
本发明涉及材料技术领域,且特别涉及一种APS等离子制备氮化铝粉末的方法及氮化铝粉末和应用。
背景技术
氮化铝是一种新型功能陶瓷材料,具有良好的热传导性能、可靠的电绝缘性能、较低的介电损耗、介电常数、良好的热膨胀系数、良好的耐腐蚀性,是高集成度半导体基片和电子器件封装的最佳材料之一,常温下氮化铝不会发生氧化反应,与水容易发生水解。总体来讲,国内的氮化铝粉末的研究与国家先进水平有很大差距,我国氮化铝产品的商业化起步晚,高质量的氮化铝产品还是依赖进口。因此,高质量的氮化铝对我国材料的发展具有重要的作用。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明的目的包括提供一种APS等离子制备氮化铝粉末的方法,该方法简单,易于操作,可控性强,可实现产量化生产。
本发明的目的还包括由上述APS等离子制备氮化铝粉末的方法制得的氮化铝粉末,该氮化铝粒度细、耐磨性好、强度高,品质高。
本发明的目的还包括提供上述氮化铝粉末在制备电子器件中的应用。
本发明解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。
本发明提出一种APS等离子制备氮化铝粉末的方法,包括:
采用APS等离子喷枪对经过预处理的铝粉进行氮气送粉,氮气的气体流量为20±2L/min。
本发明提出一种氮化铝粉末,由上述APS等离子制备氮化铝粉末的方法制备而成。
本发明提出了上述氮化铝粉末在制备电子器件中的应用。
本发明的有益效果包括:
本发明采用APS等离子喷枪对铝粉在氮气的气体流量为20±2L/min的条件下进行氮气双送粉,使得铝粉在等离子体的过程中,在氮气的环境中,Al的核电子膜层与N核电子膜层形成稳定的AlN化学键,形成AlN粉末。得到的AlN粉末粒度细、耐磨性好、强度高,具有较高的品质。该制备方法灵活性强,操控简便,可以实现产量化。本发明提供的高质量的氮化铝粉末是高集成度半导体基片和电子器件封装的最佳材料之一,因此可以应用于制备电子器件。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例铝粉变成氮化铝粉末的过程示意图;
图2为本发明实施例APS等离子喷枪的氮化气氛的设定阶段;
图3为本发明实施例充满氮气干锅桶示意图;
图4为本发明实施例APS等离子制备氮化铝粉末的过程示意图;
图5为未喷涂的Al板和喷涂氮化铝的Al板的表面形貌对比图;
图6为未喷涂的Cu板和喷涂氮化铝的Cu板的表面形貌对比图;
图7为未喷涂的316不锈钢板和喷涂氮化铝的316不锈钢板的表面形貌对比图;
图8为未喷涂的45#钢板和喷涂氮化铝的45#钢板的表面形貌对比图;
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