[发明专利]光刻回馈系统及方法

说明书

本发明提供一种光刻回馈系统和方法，所述光刻回馈方法包括，提供基底历史数据，至少包括预处理批次基底的前层机台状态；提供光刻机台历史数据，至少包括与所述预处理批次基底的前层机台状态相对应当层曝光显影后的历史量测数据；对所述预处理批次基底的当层进行曝光显影时，从所述基底历史数据中获取所述预处理批次基底的前层机台状态，从所述光刻机台历史数据中调取与所述预处理批次基底的前层机台状态相对应的当层曝光显影后的历史量测数据来校正光刻参数。利用本发明，对当层进行曝光显影时，可针对前层光刻机台状态不同给予自动分流，以对当层的光刻参数进行不同的回馈补偿，降低返工率，提高产品良率。

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，特别是涉及一种光刻回馈系统及方法。

背景技术

光刻是半导体制造工艺中最为重要的步骤之一，它决定了整个集成电路工艺的技术水平。光刻机台的状态并不是一成不变的，例如会随着光刻机台的运行时间而导致光刻机台关键部件的老化而引起机台状态的动态改变，或者由于光刻机台当机或者停机维护而引起机台状态的动态改变，这些都会导致光刻机台的状态发生动态的偏移，这会导致前层光刻过程中出现不同的工艺制程问题，而针对前层光刻过程中出现的不同工艺制程问题，在对当层光刻参数进行补偿时，所需要的回馈补偿值并不完全一致，如果仍然采用现有技术中完全相同的回馈补偿值(不区别前层机台状态)，就会导致当层的光刻参数偏离最优的光刻参数所允许的范围，从而导致产品产出率低下、成品率较低等问题，尤其随着半导体组件尺寸日趋微缩，各层的临界尺寸(Critical dimension，CD)也随之不断的缩小，这种影响更显著。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光刻回馈系统和方法，用于解决现有技术中的曝光回馈工艺中不区分前层机台状态而导致的的返工率高、产出率低下及成品率低等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种光刻回馈方法，所述光刻回馈方法包括如下步骤：

提供基底历史数据，至少包括预处理批次基底的前层机台状态，所述前层机台状态指所述预处理批次基底的前层在曝光显影时前层光刻机台所处的机台状态；

提供光刻机台历史数据，至少包括与所述预处理批次基底的前层机台状态相对应当层曝光显影后的历史量测数据；

对所述预处理批次基底的当层进行曝光显影时，从所述基底历史数据中获取所述预处理批次基底的前层机台状态，从所述光刻机台历史数据中调取与所述预处理批次基底的前层机台状态相对应的当层曝光显影后的历史量测数据来校正光刻参数，以校正后的光刻参数对所述预处理批次基底的所述当层进行曝光显影。

可选地，所述从所述光刻机台历史数据中调取与所述预处理批次基底的前层机台状态相对应的当层曝光显影后的历史量测数据来校正光刻参数的步骤包括：

从所述光刻机台历史数据中调取与所述预处理批次基底的前层机台状态相对应的当层曝光显影后的历史量测数据；

依据与所述预处理批次基底的前层机台状态相对应的当层曝光显影后的历史量测数据，计算出曝光显影补偿值；

根据所述曝光显影补偿值来校正光刻参数。

可选地，所述历史量测数据包括历史对准量测数据和历史线宽量测数据中的至少一个。

可选地，所述以校正后的光刻参数对所述预处理批次基底的所述当层进行曝光显影的步骤之后，还包括步骤：

对所述预处理批次基底曝光显影后的所述当层进行量测，以获得所述预处理批次基底的所述当层曝光显影后的量测数据；

将所述预处理批次基底的所述当层曝光显影后的量测数据反馈并存储在所述光刻机台历史数据中，作为所述预处理批次基底之后批次基底的当层曝光显影后的历史量测数据。