[发明专利]NAND闪存操作技术

权利要求书

1.一种NAND存储器的写入方法，包括：

执行一写入序列，对位于一NAND存储单元串行中一被选取字线的一存储单元进行写入；其中该NAND存储单元串行包括多个未被选取字线；该写入序列包括一写入验证程序以及在该写入验证程序之后的一写入程序；

在该写入验证程序中，将一验证读取电压脉冲施加到该被选取字线，并将多个验证通过电压脉冲施加到这些未被选取字线；

在该写入程序中，对该NAND存储单元串行进行一预充电，然后将一写入电压脉冲施加到该被选取字线，并将多个写入通过电压脉冲施加到这些未被选取字线；以及

在这些验证通过电压脉冲和这些写入通过电压脉冲之间的一时间间隔中，对这些未被选取字线的至少一者施加一偏压；其中该偏压的最大电压电平大于或等于被写入的存储单元的最大阈值电压，并且用以导通位于这些未被选取字线的该至少一者的一存储单元的一通道。

2.如权利要求1所述的NAND存储器的写入方法，其中该偏压具有一最大电压电平，小于这些写入通过电压脉冲的一最大电平。

3.如权利要求1所述的NAND存储器的写入方法，其中该偏压具有一最大电压电平，该最大电压电平介于被写入的该存储单元的一最大阈值电压值(VtMAX)至该最大阈值电压值加1伏特之间(VtMAX+1Volt)。

4.如权利要求1所述的NAND存储器的写入方法，其中该偏压包括压降(step-dowm)，从这些验证通过电压脉冲其中之一的一后缘降到一中间偏压电平，并保持该中间偏压电平，直到这些写入通过电压脉冲其中之一的一前缘的一升压(step-up)点。

5.如权利要求1所述的NAND存储器的写入方法，其中该偏压包括一压降，从这些验证通过电压脉冲其中之一的一后缘降到一中间偏压电平，保持该中间偏压电平持续一部份该时间间隔，并在这些写入通过电压脉冲其中之一的一前缘之前，降压至一较低电压电平。

6.如权利要求1所述的NAND存储器的写入方法，其中该偏压包括一脉冲，具有一升压(step-up)位于一脉冲前缘；该脉冲前缘位于这些验证通过电压脉冲其中之一的一后缘到一中间偏压电平之间的一时间间隔；且该脉冲具有一脉冲后缘，位于这些写入通过电压脉冲其中之一的一前缘之前。

7.如权利要求1所述的NAND存储器的写入方法，其中该偏压包括一第一压降，从这些验证通过电压脉冲其中之一的一后缘降到一第一中间偏压电平，保持该第一中间偏压电平一部份该时间间隔，并在这些写入通过电压脉冲其中之一的一前缘之前，降压至一较低电压电平；以及一预启动脉冲(pre-turn-on pulse)位于该第一压降之后，并具有一升压，上升至一第二中间偏压电平，以及一第二压降位于这些写入通过电压脉冲其中之一的一前缘之前。

8.如权利要求1所述的NAND存储器的写入方法，其中该偏压包括一升压，从这些验证通过电压脉冲其中之一的一后缘上升到一中间偏压电平，保持该中间偏压电平，直到这些写入通过电压脉冲其中之一的一前缘。

9.如权利要求1所述的NAND存储器的写入方法，其中该偏压包括一压降，从这些验证通过电压脉冲其中之一的一后缘降到一第一中间偏压电平，保持该第一中间偏压电平持续一部份该时间间隔，并在这些写入通过电压脉冲其中之一的一前缘之前，降压至一较低电压电平；于降压之后升压至一第二中间偏压电平，以及维持该第二中间偏压电平至这些写入通过电压脉冲其中之一的一前缘。