[发明专利]一种太阳电池

权利要求书

1.一种太阳电池，其特征在于，包括：p型硅基底；自所述p型硅基底正面向外依次设置的n型掺杂层、正面钝化减反射膜和正面电极；以及自所述p型硅基底背面向外依次设置的背面钝化膜和背面电极；其中，

所述n型掺杂层包含第一n型掺杂区域和若干第二n型掺杂区域，所述第二n型掺杂区域的掺杂浓度高于所述第一n型掺杂区域的掺杂浓度；

所述正面电极的负电极细栅线与所述第二n型掺杂区域接触；

所述背面电极与所述p型硅基底接触。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，各所述第二n型掺杂区域间隔分布在所述第一n型掺杂区域中。

3.根据权利要求2所述的太阳电池，其特征在于，每个所述第二n型掺杂区域的宽度小于相邻的任意两个所述第二n型掺杂区域之间的间距。

4.根据权利要求3所述的太阳电池，其特征在于，每个所述第二n型掺杂区域的宽度为20-300μm；各所述第二n型掺杂区域之间的间距为300-2000μm。

5.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，在所述第一n型掺杂区域上，沿所述正面电极中的负电极细栅线的长度方向分别间隔设置有若干所述第二n型掺杂区域，位于不同的所述负电极细栅线下方的相对应的两个所述第二n型掺杂区域相互隔开。

6.根据权利要求5所述的太阳电池，其特征在于，位于不同的所述负电极细栅线下方的各所述第二n型掺杂区域等间距设置。

7.根据权利要求5所述的太阳电池，其特征在于，位于同一所述负电极细栅线下方的各所述第二n型掺杂区域等间距设置。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述正面电极中的负电极细栅线与所述第二n型掺杂区域呈夹角设置。

9.根据权利要求8所述的太阳电池，其特征在于，所述负电极细栅线与所述第二n型掺杂区域垂直设置。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳电池，其特征在于，各所述第二n型掺杂区域为带状结构，每个所述第二n型掺杂区域至少与一段所述正面电极中的负电极细栅线相接触。

11.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述第二n型掺杂区域的掺杂浓度为1×10²⁰～5×10²¹个/cm³；所述第一n型掺杂区域的掺杂浓度为1×10¹⁹～5×10²⁰个/cm³。

12.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述背面电极中的含铝电极覆盖于所述背面钝化膜下方，并通过背面钝化膜开膜区域与所述p型硅基底接触。

13.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述背面电极中的含铝电极间隔排列在所述背面钝化膜开膜区域中。

14.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述正面钝化减反射膜和所述背面钝化膜均由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝和碳化硅中的一种或多种组成。

15.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳电池，其特征在于，每两根所述负电极细栅线的间距为1-4mm。