[发明专利]一种太阳电池

说明书

本发明提供了一种太阳电池，包括：p型硅基底；自p型硅基底正面向外依次设置的n型掺杂层、正面钝化减反射膜和正面电极；n型掺杂层包含第一n型掺杂区域和若干第二n型掺杂区域，第二n型掺杂区域的掺杂浓度高于第一n型掺杂区域的掺杂浓度，所述正面电极的负电极细栅线与所述第二n型掺杂区域接触；所述背面电极与所述p型硅基底接触。本发明提供的太阳电池,通过在n型掺杂层设置掺杂浓度较高的第二n型掺杂区域，使得载流子的浓度大为提高，也使得第二n型掺杂区域的电阻率下降，因此增加了电流的收集能力。同时，降低了金属电极和n型掺杂层接触的面积，进而降低了金属电极和半导体接触区域的载流子复合速率，最终提高了电池的效率。

技术领域

本发明涉及光伏发电技术领域，具体而言，涉及一种太阳电池。

背景技术

目前市场上商业化的PERC(Passivated Emitterand Rear Cell)太阳电池片的结构，正表面包含一层掺杂层，然后再在正表面上设置有钝化层及电极，背面设置有钝化膜，背面电极通过钝化膜上的接触区域和硅基底接触。由于电池表面横向载流子传输的电阻较高，电流的收集能力不高。为了提高电流的收集能力，现有技术中通常将电池的金属电极面积比例设置的较高。

而电池表面金属电极的比例太高则会引起一些其他的不良后果。例如由于金属电极和半导体接触的区域复合速率极高，所以会造成电池载流子复合严重，并且，金属电极面积比例越大，金属复合也越大，对电池效率的影响也越大。另外，正面金属电极还会造成遮光，也影响的电池的效率。

发明内容

鉴于此，本发明提出了一种太阳电池，旨在解决现有太阳电池效率较低的问题。

一个方面，本发明提出了一种太阳电池，包括：p型硅基底；自所述p型硅基底正面向外依次设置的n型掺杂层、正面钝化减反射膜和正面电极；以及自所述p型硅基底背面向外依次设置的背面钝化膜和背面电极；其中，所述n型掺杂层包含第一n型掺杂区域和若干第二n型掺杂区域，所述第二n型掺杂区域的掺杂浓度高于所述第一n型掺杂区域的掺杂浓度；所述正面电极的负电极细栅线与所述第二n型掺杂区域接触；所述背面电极与所述p型硅基底接触。

进一步地，上述太阳电池中，各所述第二n型掺杂区域间隔分布在所述第一n型掺杂区域中。

进一步地，上述太阳电池中，每个所述第二n型掺杂区域的宽度小于相邻的任意两个所述第二n型掺杂区域之间的间距。

进一步地，上述太阳电池中，每个所述第二n型掺杂区域的宽度为20-300μm；各所述第二n型掺杂区域之间的间距为300-2000μm。

进一步地，上述太阳电池中，在所述第一n型掺杂区域上，沿所述正面电极中的负电极细栅线的长度方向分别间隔设置有若干所述第二n型掺杂区域，位于不同的所述负电极细栅线的下方的相对应的两个所述第二n型掺杂区域相互隔开。

进一步地，上述太阳电池中，位于不同的所述负电极细栅线下方的各所述第二n型掺杂区域等间距设置。

进一步地，上述太阳电池中，位于同一所述负电极细栅线下方的各所述第二n型掺杂区域等间距设置。

进一步地，上述太阳电池中，所述正面电极中的负电极细栅线与所述第二n型掺杂区域呈夹角设置。

进一步地，上述太阳电池中，所述负电极细栅线与所述第二n型掺杂区域垂直设置。

进一步地，上述太阳电池中，各所述第二n型掺杂区域为带状结构，每个所述第二n型掺杂区域至少与一段所述正面电极中的负电极细栅线相接触。

进一步地，上述太阳电池中，所述第二n型掺杂区域的掺杂浓度为1×10²⁰～5×10²¹个/cm³；所述第一n型掺杂区域的掺杂浓度为1×10¹⁹～5×10²⁰个/cm³。