[发明专利]半导体晶片及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体晶片，其特征在于具备：

多个半导体芯片区域，具有半导体元件；

分割区域，设置在相邻的所述半导体芯片区域间；及

第1层叠体，设置在所述分割区域，包含交替层叠的多个第1材料膜及多个第2材料膜。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于

所述多个第1材料膜是氧化硅膜；

所述多个第2材料膜是氮化硅膜或第1导电膜。

3.根据权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于

所述半导体元件具备：

第2层叠体，包括交替层叠的多个第1材料膜及多个第2导电膜；及

柱状部，以贯通所述第2层叠体的方式设置，在与所述第2导电膜交叉的位置具有存储单元晶体管。

4.根据权利要求2所述的半导体晶片，其特征在于所述第1导电膜及所述第2导电膜为相同材料。

5.根据权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于

所述第1层叠体包含第1下部层叠体、及设置在所述第1下部层叠体上的第1上部层叠体；

所述第1下部层叠体的最上部的所述第2材料膜与所述第1上部层叠体的最下部的所述第2材料膜之间的第1绝缘膜的厚度，大于所述第1下部层叠体或所述第1上部层叠体所包含的所述第1材料膜的厚度。

6.根据权利要求3所述的半导体晶片，其特征在于

所述第2层叠体包含第2下部层叠体、及设置在所述第2下部层叠体上的第2上部层叠体；

所述第2下部层叠体的最上部的所述第2导电膜与所述第2上部层叠体的最下部的所述第2导电膜之间的第2绝缘膜的厚度，大于所述第2下部层叠体或所述第2上部层叠体所包含的所述第1材料膜的厚度；

所述第2下部层叠体的最上部的所述第2导电膜与所述第2上部层叠体的最下部的所述第2导电膜之间的所述柱状部的直径，宽于所述第2下部层叠体的上部的所述柱状部的直径及所述第2上部层叠体的下部的直径。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体晶片，其特征在于所述第1层叠体设置在整个所述分割区域。

8.一种半导体装置，其特征在于具备：

半导体衬底，具有第1面、位于该第1面的相反侧的第2面、及将所述第1面的外缘与所述第2面的外缘连结的第1侧面；

第1层叠体，设置在所述第1面，包含交替层叠的多个第1材料膜及多个第2材料膜，且具有与所述第1侧面连续的第2侧面；及

半导体元件，位于比所述第1层叠体更靠所述半导体衬底的内侧，设置在所述第1面。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于

所述多个第1材料膜是氧化硅膜；

所述多个第2材料膜是氮化硅膜或第1导电膜。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于

所述半导体元件具备：

第2层叠体，包括交替层叠的多个第1材料膜及多个第2导电膜；及

柱状部，以贯通所述第2层叠体的方式设置，在与所述第2导电膜交叉的位置具有存储单元晶体管。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于所述第1导电膜及所述第2导电膜为相同材料。

12.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于

所述第1层叠体包含第1下部层叠体、及设置在所述第1下部层叠体上的第1上部层叠体；

所述第1下部层叠体的最上部的所述第2材料膜与所述第1上部层叠体的最下部的所述第2材料膜之间的第1绝缘膜的厚度，大于所述第1下部层叠体或所述第1上部层叠体所包含的所述第1材料膜的厚度。