[发明专利]半导体晶片及半导体装置

说明书

实施方式提供一种能够提升从改性部分扩展的劈开的直进性的半导体晶片及半导体装置。实施方式的半导体晶片具备多个半导体芯片区域及分割区域。多个半导体芯片区域具有半导体元件。分割区域设置在相邻的半导体芯片区域间。第1层叠体设置在分割区域上，包含交替层叠的多个第1材料膜及多个第2材料膜。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2018-153574号(申请日：2018年8月17日)及日本专利申请2018-221676号(申请日：2018年11月27日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该等基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本实施方式涉及一种半导体晶片及半导体装置。

背景技术

激光切割技术是使用激光对半导体晶片的内部进行改性并以改性部分为起点将半导体晶片劈开的方法。然而，因从改性部分扩展的劈开的直进性弱，所以存在位于半导体晶片的切割线上的材料膜不呈直线分割而是分割线蜿蜒的情况。利用激光进行改性后，当通过研削步骤使半导体晶片变薄时，存在材料膜的分割线更大幅度地蜿蜒而裂痕到达半导体芯片内部的器件区域的情况。

发明内容

实施方式提供一种能够提升从改性部分扩展的劈开的直进性的半导体晶片及半导体装置。

实施方式的半导体晶片具备多个半导体芯片区域及分割区域。多个半导体芯片区域具有半导体元件。分割区域设置在相邻的半导体芯片区域间。第1层叠体设置在分割区域上，包含交替层叠的多个第1材料膜及多个第2材料膜。

附图说明

图1是表示依据第1实施方式的半导体晶片的一例的概略俯视图。

图2是沿图1的2-2线的剖视图。

图3是例示柱状部CL的示意剖视图。

图4是例示柱状部CL的示意剖视图。

图5是表示第1实施方式的半导体晶片的制造方法的一例的剖视图。

图6是继图5之后表示半导体晶片的制造方法的一例的剖视图。

图7是继图6之后表示半导体晶片的制造方法的一例的剖视图。

图8是继图7之后表示半导体晶片的制造方法的一例的剖视图。

图9是继图8之后表示半导体晶片的制造方法的一例的剖视图。

图10是继图9之后表示半导体晶片的制造方法的一例的剖视图。

图11是表示第1实施方式的半导体晶片的切割方法的一例的立体图。

图12是继图11之后表示切割方法的立体图。

图13是继图11之后表示切割方法的立体图。

图14是继图11之后表示切割方法的立体图。

图15是继图12之后表示切割方法的立体图。

图16是继图12之后表示切割方法的立体图。

图17是继图15之后表示切割方法的立体图。

图18是表示第1实施方式的半导体晶片的端部的剖视图。

图19是表示依据第1实施方式的变化例1的半导体晶片的构成例的剖视图。

图20是表示依据第1实施方式的变化例2的半导体晶片的构成例的剖视图。

图21是表示作为使用本实施方式的半导体存储装置的NAND型闪速存储器的存储单元阵列的电路构成的一例的电路图。