[发明专利]垂直存储器装置

权利要求书

1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：

栅电极结构，包括在与基底的上表面基本垂直的第一方向上顺序地堆叠在基底上的地选择线(GSL)、字线和串选择线(SSL)；以及

沟道，在第一方向上贯穿栅电极结构延伸，

其中，GSL具有掺杂的多晶硅图案以及包括金属或金属硅化物的第一金属图案，掺杂的多晶硅图案和第一金属图案堆叠在第一方向上，

其中，字线和SSL中的每个具有包括金属的第二金属图案。

2.如权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，掺杂的多晶硅图案和第一金属图案在第一方向上从基底的上表面顺序地堆叠，并且

其中，第一金属图案和第二金属图案包括基本相同的金属。

3.如权利要求2所述的垂直存储器装置，其中，GSL还包括第一阻挡图案，所述第一阻挡图案覆盖第一金属图案的上表面和下表面以及面对沟道的外侧壁的侧壁，所述第一阻挡图案包括金属氮化物，并且

字线和SSL中的每个还包括第二阻挡图案，所述第二阻挡图案覆盖第二金属图案的上表面和下表面以及面对沟道的外侧壁的侧壁，所述第二阻挡图案包括金属氮化物。

4.如权利要求3所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：

阻断层，覆盖第一阻挡图案和第二阻挡图案中的每个的上表面和下表面以及面对沟道的外侧壁的侧壁，并包括金属氧化物，

其中，阻断层与掺杂的多晶硅图案的上表面接触。

5.如权利要求3所述的垂直存储器装置，其中，第一阻挡图案与掺杂的多晶硅图案的上表面接触。

6.如权利要求5所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：

电荷存储结构，覆盖沟道的外侧壁，并包括在与基底的上表面基本平行的第二方向上顺序地堆叠的隧道绝缘图案、电荷存储图案、第一阻断图案和第二阻断图案。

7.如权利要求6所述的垂直存储器装置，其中，隧道绝缘图案与第一阻断图案中的每个包括氧化硅，电荷存储图案包括氮化硅，第二阻断图案包括金属氧化物。

8.如权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，掺杂的多晶硅图案和第一金属图案在第一方向上彼此接触，并且

其中，第一金属图案包括金属硅化物。

9.如权利要求8所述的垂直存储器装置，其中，第一金属图案还包括沿第一方向从掺杂的多晶硅图案的上表面顺序地堆叠的硅化钨图案和钨图案。

10.如权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，第一金属图案和掺杂的多晶硅图案顺序地堆叠在第一方向上以彼此接触，并且

其中，第一金属图案包括金属硅化物。

11.如权利要求1所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：

电路图案，位于基底上；以及

基体层，位于电路图案上，基体层与沟道的下表面接触并包括多晶硅。

12.如权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，基底包括单晶硅并与沟道的下表面接触。

13.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：

栅电极结构，包括在与基底的上表面基本垂直的第一方向上顺序地堆叠在基底上的地选择线(GSL)、字线和串选择线(SSL)；以及

沟道，在第一方向上贯穿栅电极结构延伸，

其中，GSL具有掺杂的多晶硅图案和包括金属或金属硅化物的第一金属图案，掺杂的多晶硅图案和第一金属图案布置在与基底的上表面基本平行的第二方向上，

其中，字线和SSL中的每个具有包括金属的第二金属图案。

14.如权利要求13所述的垂直存储器装置，其中，掺杂的多晶硅图案的侧壁与第一金属图案的侧壁彼此接触。