[发明专利]垂直存储器装置

说明书

提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：栅电极结构，包括在与基底的上表面基本垂直的第一方向上顺序地堆叠在基底上的地选择线(GSL)、字线和串选择线(SSL)；以及沟道，在第一方向上贯穿栅电极结构延伸，其中，GSL具有掺杂的多晶硅图案以及包括金属或金属硅化物的第一金属图案，掺杂的多晶硅图案和第一金属图案堆叠在第一方向上，其中，字线和SSL中的每个具有包括金属的第二金属图案。

本申请要求于2018年6月8日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0066115号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思的示例性实施例涉及一种垂直存储器装置。

背景技术

垂直NAND(VNAND)闪存技术包括，例如，在三维结构中竖直地堆叠存储器单元。在制造具有外围电路上单元(COP)结构的VNAND闪存装置的方法中，当形成沟道孔以暴露由多晶硅形成的基体层时，沟道孔可能具有不均匀的深度，因此，施加到沟道的电流可能不恒定。例如，可以执行选择性外延生长工艺以在每个沟道下方形成外延层；然而，沟道孔具有不均匀的深度，因此沟道孔中的外延层之间的高度分布可能不均匀。因此，包括沟道的存储器单元的电特性可能不一致。

发明内容

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：栅电极结构，包括在与基底的上表面基本垂直的第一方向上顺序地堆叠在基底上的地选择线(GSL)、字线和串选择线(SSL)；以及沟道，在第一方向上贯穿栅电极结构延伸，其中，GSL具有掺杂的多晶硅图案以及包括金属或金属硅化物的第一金属图案，掺杂的多晶硅图案和第一金属图案堆叠在第一方向上，其中，字线和SSL中的每个具有包括金属的第二金属图案。

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：栅电极结构，包括在与基底的上表面基本垂直的第一方向上顺序地堆叠在基底上的GSL、字线和SSL；以及沟道，在第一方向上贯穿栅电极结构延伸，其中，GSL具有掺杂的多晶硅图案以及包括金属或金属硅化物的第一金属图案，掺杂的多晶硅图案和第一金属图案布置在基本平行于基底的上表面的第二方向上，其中，字线和SSL中的每个具有包括金属的第二金属图案。

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：栅电极结构，包括在相对于基底的上表面的垂直方向上顺序地堆叠的多个栅电极；以及沟道结构，在垂直方向上贯穿栅电极结构延伸，其中，所述多个栅电极中的第一栅电极具有掺杂的多晶硅图案和第一金属图案，其中，所述多个栅电极中的第二栅电极中的每个具有第二金属图案。

附图说明

图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20和图21是示出根据发明构思的示例性实施例的制造垂直存储器装置的方法的平面图和剖视图。

图22、图23和图24是示出根据发明构思的示例性实施例的垂直存储器装置的剖视图。

图25和图26是沿示出根据发明构思的示例性实施例的制造垂直存储器装置的方法的图1的线A-A'截取的剖视图。

图27、图28和图29是示出根据发明构思的示例性实施例的垂直存储器装置的剖视图。

图30和图31是示出根据发明构思的示例性实施例的垂直存储器装置的剖视图。

图32是示出根据发明构思的示例性实施例的垂直存储器装置的剖视图。

图33、图34、图35和图36是示出根据发明构思的示例性实施例的制造垂直存储器装置的方法的剖视图。

图37、图38、图39、图40和图41是示出根据发明构思的示例性实施例的制造垂直存储器装置的方法的剖视图。