[发明专利]封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底表面形成有电极，所述基底上形成有图形化的钝化层，所述钝化层中形成有暴露所述电极的窗口；

凸块底部金属化层，位于所述窗口露出的电极上，且还覆盖所述窗口侧壁和所述钝化层的部分顶部，所述凸块底部金属化层包括多个分立的子金属化层，所述凸块底部金属化层包括：多个分立的第一子金属化层，位于所述窗口露出的所述电极上；呈一体结构的第二子金属化层，环绕所述多个分立的第一子金属化层，且还覆盖所述窗口的侧壁和所述钝化层的部分顶部；

导电凸块，覆盖所述凸块底部金属化层。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述多个第一子金属化层在所述窗口内的分布规则包括：

距离所述窗口中心越近，相邻所述第一子金属化层之间的间距越大。

3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一子金属化层沿相垂直的行方向和列方向呈矩阵排列，所述第一子金属化层沿所述行方向的长度大于或等于20μm，且沿所述窗口中心指向所述窗口侧壁的方向上，任一行所述第一子金属化层沿所述行方向的长度按照第一预设比例逐渐变小，所述第一预设比例为95%至60%。

4.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，相邻所述第一子金属化层沿所述行方向的间距为第一数值，所述相邻第一子金属化层中靠近所述窗口侧壁一侧的第一子金属化层沿所述行方向的长度为第二数值，所述第一数值等于所述第二数值。

5.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一子金属化层沿相垂直的行方向和列方向呈矩阵排列，所述第一子金属化层沿所述列方向的宽度大于或等于20μm，且沿所述窗口中心指向所述窗口侧壁的方向上，任一列所述第一子金属化层沿所述列方向的宽度按照第二预设比例逐渐变小，所述第二预设比例为95%至60%。

6.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，相邻所述第一子金属化层沿所述列方向的间距为第三数值，所述相邻第一子金属化层中靠近所述窗口侧壁一侧的第一子金属化层沿所述列方向的长度为第四数值，所述第三数值等于所述第四数值。

7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二子金属化层背离所述第一子金属化层一侧的侧壁在所述钝化层表面的倾角为锐角。

8.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，在所述窗口的边缘位置处，所述钝化层侧壁的顶角为圆角。

9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，在所述窗口的边缘位置处，所述钝化层侧壁的倾角为锐角。

10.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述凸块底部金属化层包括铜层以及位于所述铜层上的镍层。

11.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面形成有电极；

在所述基底上形成图形化的钝化层，所述钝化层中形成有暴露所述电极的窗口；

在所述窗口露出的电极上、所述窗口侧壁和所述钝化层的部分顶部上形成凸块底部金属化层，其中，所述凸块底部金属化层包括多个分立的子金属化层，所述凸块底部金属化层包括：多个分立的第一子金属化层，位于所述窗口露出的所述电极上；呈一体结构的第二子金属化层，环绕所述多个分立的第一子金属化层，且还覆盖所述窗口的侧壁和所述钝化层的部分顶部；

形成覆盖所述凸块底部金属化层的导电凸块。