[发明专利]封装结构及其形成方法

说明书

一种封装结构及其形成方法，所述封装结构包括：基底，所述基底表面形成有电极，所述基底上形成有图形化的钝化层，所述钝化层中形成有暴露所述电极的窗口；凸块底部金属化层，位于所述窗口露出的电极上，且还覆盖所述窗口侧壁和所述钝化层的部分顶部，所述凸块底部金属化层包括多个分立的子金属化层；导电凸块，覆盖所述凸块底部金属化层。通过将UBM层设置为多个分立的子金属化层结构，从而在导电凸块受到挤压时，使得分立的子金属化层之间的间隙共同分解压力，减小UBM层承受的压力，进而减小钝化层与UBM层的交界处的应力，避免钝化层和/或UBM层出现裂痕造成的器件损伤，提高器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种封装结构及其形成方法。

背景技术

在形成半导体晶圆时，首先在半导体衬底表面上形成集成电路器件，诸如，晶体管。然后在集成电路器件上方形成互连结构。在半导体芯片的表面上形成金属凸块，以便接触半导体电路器件。

在典型的金属凸块形成工艺中，首先形成凸块底部金属化层(UBM)层，从而电连接晶圆上的金属焊盘，随后，在UBM层上形成金属凸块，并在形成该金属凸块之后，通过湿法刻蚀去除UBM层的多余部分。

现有的封装方法形成的封装器件，器件性能有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种封装结构及其形成方法，以改善封装器件性能。

为解决上述问题，本发明提供一种封装结构，包括：基底，所述基底表面形成有电极，所述基底上形成有图形化的钝化层，所述钝化层中形成有暴露所述电极的窗口；凸块底部金属化层，位于所述窗口露出的电极上，且还覆盖所述窗口侧壁和所述钝化层的部分顶部，所述凸块底部金属化层包括多个分立的子金属化层；导电凸块，覆盖所述凸块底部金属化层。

相应的，本发明还提供一种封装结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成有电极；在所述基底上形成图形化的钝化层，所述钝化层中形成有暴露所述电极的窗口；在所述窗口露出的电极上、所述窗口侧壁和所述钝化层的部分顶部上形成凸块底部金属化层，其中，所述凸块底部金属化层包括多个分立的子金属化层；形成覆盖所述凸块底部金属化层的导电凸块。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明实施例提供了一种封装结构及其形成方法，其中，所述凸块底部金属化层(UBM)层包括多个分立的子金属化层。通过将UBM层设置为多个分立的子金属化层结构，从而在导电凸块受到挤压时，使得分立的子金属化层之间的间隙共同分解压力，减小UBM层承受的压力，进而减小钝化层与UBM层的交界处的应力，避免钝化层和/或UBM层出现裂痕造成的器件损伤，提高器件的性能。

附图说明

图1是一种封装结构的结构示意图；

图2至图3是本发明一实施例一种封装结构的的结构示意图；

图4是本发明另一实施例中UBM层的俯视图；

图5至图11是本发明封装结构的形成方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。

具体实施方式

由背景技术可知，现有的封装方法形成的封装器件，器件性能有待提高。

参考图1，示出了一种封装方法形成的封装器件的结构图，其中，钝化层101上具有窗口W’以暴露钝化层下方的电连接结构102，在该窗口设有覆盖所述窗口的UBM层103，金属凸块104设置在UBM层103上。当金属凸块104在后续工艺中受到挤压时，钝化层101与UBM层103的交界处(如图1中的虚线框位置)受到的应力对应增加，极易造成钝化层101和/或UBM层103出现裂痕，从而形成器件损伤，进而使得器件性能下降。