[发明专利]MOSFET终端结构及其制备方法

权利要求书

1.一种MOSFET终端结构，其特征在于，包括：

第一导电类型的衬底；

第一导电类型的外延层，位于所述第一导电类型的衬底的上表面；所述第一导电类型的外延层及所述第一导电类型的衬底包括沿横向分布的有源区及终端区；

第一源极多晶硅层，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于所述终端区内；

第一介质层，位于所述第一源极多晶硅层与所述第一导电类型的外延层之间；

第二源极多晶硅层，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于所述有源区内；

第二介质层，位于所述第二源极多晶硅层与所述第一导电类型的外延层之间，所述第二介质层的厚度小于所述第一介质层的厚度；

栅极多晶硅层，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于所述第二源极多晶硅层的上方；

栅氧化层，位于所述第二源极多晶硅层与所述第一导电类型的外延层之间；

绝缘隔离层，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于所述栅极多晶硅层与所述第二源极多晶硅层之间；

第二导电类型的第一体区，位于所述栅氧化层的外围；

第一导电类型的源区，位于所述栅氧化层的外围，且位于所述第二导电类型的第一体区上方。

2.根据权利要求1所述的MOSFET终端结构，其特征在于：所述栅氧化层的厚度小于所述第一介质层的厚度。

3.根据权利要求1所述的MOSFET终端结构，其特征在于：所述第一导电类型包括N型且所述第二导电类型包括P型或所述第一导电类型包括P型且所述第二导电类型包括N型。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的MOSFET终端结构，其特征在于：所述MOSFET终端结构还包括：

栅极电极，与所述栅极多晶硅层相连接；

源极电极，与所述第二导电类型的第一体区、所述第一源极多晶硅层及所述第二源极多晶硅层相连接；

漏极电极，位于所述第一导电类型的衬底的下表面。

5.根据权利要求4所述的MOSFET终端结构，其特征在于：所述第一源极多晶硅层及与包覆于所述第一源极多晶硅层外壁的所述第一介质层构成终端保护器件，所述MOSFET终端结构包括至少一第二导电类型的第二体区及多个所述终端保护器件；多个所述终端保护器件于所述终端区内间隔排布，所述第二导电类型的第二体区位于相邻所述终端保护器件之间；所述源极电极还与所述第二导电类型的第二体区相连接。

6.一种MOSFET终端结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供第一导电类型的衬底，于所述第一导电类型的衬底的上表面形成第一导电类型的外延层；所述第一导电类型的外延层及所述第一导电类型的衬底包括沿横向分布的有源区及终端区；

于所述第一导电类型的外延层内形成第一沟槽及第二沟槽，其中，所述第一沟槽位于所述终端区内，所述第二沟槽位于所述有源区内；

于所述第一沟槽的侧壁及底部形成第一介质层，并于所述第一沟槽内形成第一源极多晶硅层；

于所述第二沟槽的侧壁及底部形成第二介质层，并于所述第二介质层的表面形成第二源极多晶硅层；其中，所述第二介质层的厚度小于所述第一介质层的厚度；

于所述第二源极多晶硅层的上表面及所述第二介质层的上表面形成绝缘隔离层；

于所述第二沟槽的上部侧壁形成栅氧化层，并于所述第二沟槽内形成栅极多晶硅层，所述栅极多晶硅层位于所述绝缘隔离层上；

于所述第一导电类型的外延层的上部形成第二导电类型的第一体区及第一导电类型的源区；其中，所述第一导电类型的源区位于所述第二导电类型的第一体区上方，所述第一导电类型的源区及所述第二导电类型的第一体区均位于所述第二沟槽的外围，且位于所述有源区内及所述第二沟槽与所述第一沟槽之间。