[发明专利]真空处理装置、运入运出室在审
申请号: | 201910137650.3 | 申请日: | 2019-02-25 |
公开(公告)号: | CN110223935A | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 松崎淳介;铃木杰之;酒田现示 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱美红;傅永霄 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 真空处理装置 处理对象物 托盘 推压部 浮起 弹性的 对基板 附加力 压力差 朝上 排出 推压 排气 配置 流动 | ||
1.一种真空处理装置,具有:
运入运出室,在内部配置处理对象物,且内部被真空排气装置真空排气,所述处理对象物具有托盘和配置在前述托盘上的基板;以及
处理室,进行前述处理对象物具有的前述基板的真空处理;
前述处理对象物在前述运入运出室与前述处理室之间移动;
其特征在于,
在前述运入运出室中,设置有至少能够向相对于前述处理对象物接近的方向移动的推压部;
前述基板被前述推压部推压而固定于前述托盘。
2.如权利要求1所述的真空处理装置,其特征在于,
在前述推压部的与前述基板接触的部分设置有接触部件,所述接触部件由具有柔性的弹性体形成;
前述接触部件向前述处理对象物接近而与前述处理对象物接触,如果前述接触部件变形,则由前述接触部件的复原力将前述基板向前述托盘推压。
3.如权利要求2所述的真空处理装置,其特征在于,
前述接触部件由氟树脂成形。
4.如权利要求2所述的真空处理装置,其特征在于,
前述接触部件由硅树脂成形。
5.如权利要求1~4中任一项所述的真空处理装置,其特征在于,
前述运入运出室具有:
台,配置前述处理对象物;
盖部件,在与前述台之间形成真空环境;以及
移动装置,使前述盖部件在相对于前述台接近的方向和离开的方向移动;
前述推压部设置于前述盖部件;
如果前述盖部件的盖开口的边缘与前述处理槽的表面接触,则前述运入运出室被封闭。
6.一种运入运出室,在内部配置处理对象物,且内部被真空排气装置真空排气,所述处理对象物具有托盘和配置在前述托盘上的基板,其特征在于,
在前述运入运出室中,设置有至少能够向相对于前述处理对象物接近的方向移动的推压部;
前述基板被前述推压部推压而固定于前述托盘。
7.如权利要求6所述的运入运出室,其特征在于,
在前述推压部的与前述基板接触的部分设置有接触部件,所述接触部件由具有柔性的弹性体形成;
前述接触部件向前述处理对象物接近而与前述处理对象物接触,如果前述接触部件变形,则由前述接触部件的复原力将前述基板向前述托盘推压。
8.如权利要求7所述的运入运出室,其特征在于,
前述接触部件由氟树脂成形。
9.如权利要求7所述的运入运出室,其特征在于,
前述接触部件由硅树脂成形。
10.如权利要求6~9中任一项所述的运入运出室,其特征在于,
具有:
台,配置前述处理对象物;
盖部件,在与前述台之间形成真空环境;以及
移动装置,使前述盖部件在相对于前述台接近的方向和离开的方向移动;
前述推压部设置于前述盖部件;
如果前述盖部件的盖开口的边缘与前述处理槽的表面接触,则前述运入运出室被封闭。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造