[发明专利]每个像素区域具有多个透镜的图像传感器在审
申请号: | 201910137817.6 | 申请日: | 2019-02-25 |
公开(公告)号: | CN110310965A | 公开(公告)日: | 2019-10-08 |
发明(设计)人: | 陈暎究;金永灿;吉珉墡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘润蓓;陈晓博 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 光电门 微透镜 第一表面 像素区域 第二表面 入射光 基底 透镜 电荷 传输 响应 | ||
1.一种图像传感器,所述图像传感器包括:
基底,包括像素区域、第一表面和与第一表面相对的第二表面;
第一光电门和第二光电门,位于第一表面上并且构造为响应于像素区域中的入射光产生电荷;
第一微透镜和第二微透镜,共用包括像素区域的像素,位于第二表面上并且构造为使入射光朝向第一光电门和第二光电门传输。
2.如权利要求1所述的图像传感器,所述图像传感器还包括沟槽隔离层,所述沟槽隔离层位于像素区域的边缘处以限定像素区域。
3.如权利要求2所述的图像传感器,所述图像传感器还包括散射结构,所述散射结构在像素区域中位于第二表面上并且构造为使入射光散射,
其中,图像传感器包括三维图像传感器。
4.如权利要求3所述的图像传感器,其中,散射结构包括中心沟槽隔离层,所述中心沟槽隔离层在像素区域中从第二表面朝向第一表面延伸。
5.如权利要求4所述的图像传感器,
其中,中心沟槽隔离层包括第一中心沟槽隔离层和第二中心沟槽隔离层,
其中,第一中心沟槽隔离层从第二表面朝向第一表面的第一深度比第二中心沟槽隔离层从第二表面朝向第一表面的第二深度深。
6.如权利要求4所述的图像传感器,其中,中心沟槽隔离层和沟槽隔离层分别包括同一层的第一部分和第二部分。
7.如权利要求3所述的图像传感器,其中,散射结构包括金字塔结构。
8.如权利要求7所述的图像传感器,其中,金字塔结构从第二表面突出。
9.如权利要求3所述的图像传感器,其中,散射结构的介电常数与基底的介电常数不同。
10.一种图像传感器,所述图像传感器包括:
基底,包括像素区域、第一表面和与第一表面相对的第二表面;
第一光电门和第二光电门,位于第一表面上并且构造为响应于像素区域中的入射光产生电荷;
沟槽隔离层,限定像素区域;
第一散射结构和第二散射结构,构造为使像素区域中的入射光散射;
第一透镜和第二透镜,位于第二表面上并且构造为使入射光传输到像素区域中,
其中,第一散射结构和第一透镜彼此垂直叠置,第二散射结构和第二透镜彼此垂直叠置。
11.如权利要求10所述的图像传感器,
其中,第一透镜和第二透镜分别包括第一微透镜和第二微透镜,
其中,第一微透镜比第二微透镜大。
12.如权利要求11所述的图像传感器,其中,第一微透镜比第二微透镜靠近像素区域的中心。
13.如权利要求10所述的图像传感器,
其中,第一透镜和第二透镜分别包括第一微透镜和第二微透镜,
其中,第一微透镜和第二微透镜为相同尺寸。
14.如权利要求10所述的图像传感器,所述图像传感器还包括:第三透镜,位于第二表面上并构造为将入射光传输到像素区域中,其中,第一透镜位于第二透镜与第三透镜之间。
15.一种图像传感器,所述图像传感器包括:
基底,包括像素区域、第一表面和与第一表面相对的第二表面;
第一光电门和第二光电门,位于第一表面上并且构造为响应于像素区域中的入射光产生电荷;
浅沟槽隔离层,在像素区域中在从第一表面朝向第二表面的方向上延伸第一距离;
深沟槽隔离层,限定像素区域并在所述方向上延伸第二距离,其中,第二距离比第一距离长;
第一透镜和第二透镜,位于第二表面上并且构造为使入射光传输到像素区域中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的