[发明专利]每个像素区域具有多个透镜的图像传感器在审
申请号: | 201910137817.6 | 申请日: | 2019-02-25 |
公开(公告)号: | CN110310965A | 公开(公告)日: | 2019-10-08 |
发明(设计)人: | 陈暎究;金永灿;吉珉墡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘润蓓;陈晓博 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 光电门 微透镜 第一表面 像素区域 第二表面 入射光 基底 透镜 电荷 传输 响应 | ||
提供了图像传感器。图像传感器包括基底,所述基底包括像素区域、第一表面和与第一表面相对的第二表面。图像传感器包括位于第一表面上并且构造为响应于像素区域中的入射光产生电荷的第一光电门和第二光电门。此外,图像传感器包括第一微透镜和第二微透镜,所述第一微透镜和第二微透镜位于第二表面上并且构造为使入射光朝向第一光电门和第二光电门传输。
此申请要求于2018年3月20日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0031897号韩国专利申请的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及图像传感器。
背景技术
随着包括数码相机和数码便携式摄像机功能的数码相机、数码便携式摄像机和移动电话变得普及,图像传感器正在迅速发展。图像传感器是将光学图像转换为电信号的半导体装置。随着对立体图像的需求,正在积极开展对三维(3D)图像传感器(即,能够同时捕获二维(2D)图像和深度图像的深度传感器)的研究。
深度传感器可以具有比传统图像传感器大的像素。因此,微透镜的尺寸可以增大,然而,这会增大微透镜的制造难度,从而提高生产成本并降低装置可靠性。
发明内容
本公开的方面提供一种图像传感器,所述图像传感器通过向一个像素应用多个微透镜而具有改善的生产效率和光电效率。
根据一些实施例,一种图像传感器可以包括基底,所述基底包括像素区域、第一表面和与第一表面相对的第二表面。该图像传感器可以包括第一光电门和第二光电门,所述第一光电门和第二光电门位于第一表面上并且构造为响应于像素区域中的入射光产生电荷。此外,该图像传感器可以包括第一微透镜和第二微透镜,所述第一微透镜和第二微透镜共用包括像素区域的像素、位于第二表面上并且构造为使入射光朝向第一光电门和第二光电门传输。
根据一些实施例,一种图像传感器可以包括基底,所述基底包括像素区域、第一表面和与第一表面相对的第二表面。该图像传感器可以包括第一光电门和第二光电门,所述第一光电门和所述第二光电门位于第一表面上并且构造为响应于像素区域中的入射光产生电荷。该图像传感器可以包括限定像素区域的沟槽隔离层。该图像传感器可以包括构造为使像素区域中的入射光散射的第一散射结构和第二散射结构。此外,该图像传感器可以包括第一透镜和第二透镜,所述第一透镜和所述第二透镜位于第二表面上并且构造为使入射光传输到像素区域中。第一散射结构和第一透镜可以彼此垂直叠置,第二散射结构和第二透镜可以彼此垂直叠置。
根据一些实施例,一种图像传感器可以包括基底,所述基底包括像素区域、第一表面和与第一表面相对的第二表面。该图像传感器可以包括第一光电门和第二光电门,所述第一光电门和所述第二光电门位于第一表面上并且构造为响应于像素区域中的入射光产生电荷。该图像传感器可以包括浅沟槽隔离(STI)层,所述浅沟槽隔离(STI)层在像素区域中在从第一表面朝向第二表面的方向上延伸第一距离。该图像传感器可以包括深沟槽隔离(DTI)层,所述深沟槽隔离(DTI)层限定像素区域,并且在所述方向上延伸第二距离。第二距离可以比第一距离长。此外,该图像传感器可以包括第一透镜和第二透镜,所述第一透镜和所述第二透镜位于第二表面上并且构造为使入射光传输到像素区域中。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述,这些和/或其他方面将变得更加清楚且更加容易理解,在附图中:
图1是根据实施例的图像传感器的框图;
图2是详细示出图1的像素阵列的布局图;
图3是详细示出图1的像素阵列中的一个像素区域的等效电路图;
图4是根据实施例的三维(3D)图像传感器的像素区域的等效电路图;
图5是用于解释根据实施例的图像传感器的相位采样的曲线图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的