[发明专利]进气装置及反应腔室在审
申请号: | 201910138374.2 | 申请日: | 2019-02-25 |
公开(公告)号: | CN111613508A | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 王乐;柳朋亮 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 反应 | ||
本发明提供一种进气装置及反应腔室,包括进气本体和喷嘴,进气本体的上端面设有环形凹道,在进气本体的环形凹道处设置有安装孔,喷嘴中设置有进气孔,喷嘴可拆卸的安装在安装孔中,且进气孔与环形凹道连通。本发明提供的进气装置及反应腔室能够方便的对进气装置进行清理,降低进气装置的维护成本。
技术领域
本发明涉及半导体设备技术领域,具体地,涉及一种进气装置及反应腔室。
背景技术
目前,在半导体加工工艺中,通常是通过等离子体和衬底相互作用,使衬底表面发生各种物理和化学反应,从而使衬底表面的性能发生变化。等离子体通常是经过激发工艺气体产生。
在现有技术中,产生等离子体的工艺气体通常是经过上电极进气装置通入反应腔室内,在上电极进气装置中直接开设通孔,这些通孔作为供工艺气体通过的进气孔,工艺气体经过进气管路通入进气孔中,再经过进气孔进入反应腔室内,并在反应腔室内被激发形成等离子体。
但是,在现有技术中,为了满足工艺的需求,上电极进气装置中的进气孔的内径通常非常小,而工艺气体中又常会夹杂粉尘等微小杂质,并且加工工艺中也不可避免地产生一些副产物,这些微小杂质和副产物会在进气孔处沉积,导致进气孔的堵塞,由于进气孔直接开设在上电极进气装置中,且在上电极进气装置中的深度较大,常规的清理无法彻底清洗进气孔,若要彻底对进气孔进气清洗,通常需要将上电极进气装置从反应腔室上拆下后,再对进气孔进行清洗,这就使得对上电极装置中的进气孔的清洗维护的难度大,且成本高。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种进气装置及反应腔室,其能够方便的对进气装置进行清理,降低进气装置的维护成本。
为实现本发明的目的而提供一种进气装置,包括进气本体和喷嘴,所述进气本体的上端面设有环形凹道,在所述进气本体的环形凹道处设置有安装孔,所述喷嘴中设置有进气孔,所述喷嘴可拆卸的安装在所述安装孔中,且所述进气孔与所述环形凹道连通。
优选的,在所述安装孔的孔壁上设置有第一凸部;
所述喷嘴的外壁上设置有第二凸部,所述喷嘴的所述第二凸部叠置在所述安装孔的所述第一凸部上;在所述第一凸部和所述第二凸部相互叠置的两个表面之间设置有密封圈。
优选的,所述安装孔的上端开设在所述环形凹道的底部,所述安装孔的下端开设在所述进气本体的下端面;所述喷嘴与所述安装孔间隙配合,所述进气孔贯通所述喷嘴的两端,所述进气孔的上端与所述环形凹道相连通。
优选的,所述安装孔的上端开设在所述进气本体的上端面,所述安装孔的下端开设在所述进气本体的下端面;
所述喷嘴与所述安装孔间隙配合,所述喷嘴的上部设有连通槽,所述进气孔的下端开设在所述喷嘴的下端面,所述进气孔的上端通过所述连通槽与所述环形凹道相连通。
优选的,所述喷嘴的材料包括陶瓷或者石英。
优选的,在所述安装孔的孔壁上设置有内螺纹;
所述喷嘴的外周壁上设置有与所述内螺纹相配合的外螺纹;所述喷嘴螺纹连接在所述安装孔内。
优选的,所述安装孔包括由上而下同轴设置的螺纹孔和扩孔,其中,
所述扩孔的直径大于所述螺纹孔的直径;所述螺纹孔的上端开设在所述环形凹道的底部,所述扩孔的下端开设在所述进气本体的下端面;
所述喷嘴包括由上而下依次设置的第一本体和第二本体,其中,在所述第一本体的外周壁上设置有所述外螺纹并螺纹连接在所述螺纹孔中;所述第二本体设置在所述扩孔中,所述第二本体的直径大于所述第一本体的直径;
所述进气孔贯通所述喷嘴的两端,所述进气孔的上端与所述环形凹道相连通。
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