[发明专利]真空转移装置及其形成方法

权利要求书

1.一种形成真空转移装置的方法，其特征在于，包含：

提供半导体基板；

在该半导体基板的顶面形成第一屏蔽层；

蚀刻该第一屏蔽层以形成具有第一孔的图案，该第一孔贯通该第一屏蔽层；

使用该第一屏蔽层为蚀刻屏蔽以蚀刻该半导体基板，以在该半导体基板的顶部形成该第一孔；

在该半导体基板的底面形成第二屏蔽层；

蚀刻该第二屏蔽层以形成具有吸嘴的图案，该吸嘴对准于该第一孔；

使用该第二屏蔽层为蚀刻屏蔽以蚀刻该半导体基板，以在该半导体基板的底部形成该吸嘴并延伸向下；

在该半导体基板的底面形成第三屏蔽层；

蚀刻该第二屏蔽层以形成具有第二孔的图案，该第二孔贯通该第二屏蔽层；及

使用该第二屏蔽层与该第三屏蔽层为蚀刻屏蔽以蚀刻该半导体基板，以形成该第二孔贯通该吸嘴且位于该半导体基板内以连通该第一孔。

2.根据权利要求1所述的形成真空转移装置的方法，其特征在于，该第一屏蔽层、该第二屏蔽层或该第三屏蔽层包含氮化硅、氧化硅或金属。

3.根据权利要求1所述的形成真空转移装置的方法，其特征在于，还包含：

在蚀刻该半导体基板以形成该第一孔的步骤后，移除该第一屏蔽层。

4.根据权利要求1所述的形成真空转移装置的方法，其特征在于，该吸嘴与该第一孔在俯视方向上的投影至少部分重叠。

5.根据权利要求1所述的形成真空转移装置的方法，其特征在于，该吸嘴的尺寸小于该第一孔。

6.根据权利要求1所述的形成真空转移装置的方法，其特征在于，该第二孔与该吸嘴、该第一孔在俯视方向上的投影至少部分重叠。

7.根据权利要求1所述的形成真空转移装置的方法，其特征在于，该第二孔的尺寸小于该吸嘴。

8.根据权利要求1所述的形成真空转移装置的方法，其特征在于，还包含：

在蚀刻该半导体基板以形成该第二孔的步骤后，移除该第二屏蔽层与该第三屏蔽层。

9.根据权利要求1所述的形成真空转移装置的方法，其特征在于，还包含：

提供转接器，以夹住该半导体基板的顶面；

其中该转接器具有真空通道，其贯通该转接器并连通于该第一孔。

10.根据权利要求9所述的形成真空转移装置的方法，其特征在于，该转接器具有多个周围通道，其贯通该转接器并位于该转接器的周围。

11.根据权利要求9所述的形成真空转移装置的方法，其特征在于，还包含：

使用夹持器以固定该转接器与该半导体基板。

12.一种真空转移装置，采用权利要求1至11任一项所述的方法形成，其特征在于，包含：

半导体基板，其具有：

第一孔，位于该半导体基板的顶部；

吸嘴，位于该半导体基板的底部并延伸向下；及

第二孔，贯通该吸嘴并位于该半导体基板内以连通该第一孔。

13.根据权利要求12所述的真空转移装置，其特征在于，该吸嘴与该第一孔在俯视方向上的投影至少部分重叠。

14.根据权利要求12所述的真空转移装置，其特征在于，该吸嘴的尺寸小于该第一孔。

15.根据权利要求12所述的真空转移装置，其特征在于，该第二孔与该吸嘴、该第一孔在俯视方向上的投影至少部分重叠。

16.根据权利要求12所述的真空转移装置，其特征在于，该第二孔的尺寸小于该吸嘴。