[发明专利]真空转移装置及其形成方法

说明书

本发明公开了一种真空转移装置及其形成方法，该装置包含半导体基板，其具有第一孔，位于半导体基板的顶部；吸嘴，位于半导体基板的底部并延伸向下；及第二孔，贯通吸嘴并位于半导体基板内以连通第一孔。通过该装置能够有效地提升真空转移的工作效率，并且能够降低加工成本。

技术领域

本发明涉及真空转移技术领域，特别是涉及一种真空转移装置及形成真空转移装置的方法，可适用以转移微发光二极管。

背景技术

微发光二极管(microLED、mLED或μLED)显示面板为平板显示器(flat paneldisplay)的一种，其是由尺寸等级为1-10微米的个别精微(microscopic)发光二极管所组成。相较于传统液晶显示面板，微发光二极管显示面板具较大对比度及较快反应时间，且消耗较少功率。微发光二极管与有机发光二极管(OLED)虽然同样具有低功耗的特性，但是，微发光二极管因为使用三-五族二极管技术(例如氮化镓)，因此相较于有机发光二极管具有较高的亮度(brightness)、较高的发光效能(luminous efficacy)及较长的寿命。

在制造微发光二极管显示面板的过程中，必须拾取(例如使用真空吸力以吸取)个别的微发光二极管并转移至显示面板。传统真空转移装置通常使用雷射或电磁(electromagnetic)加工技术来制造，这些技术耗费很多的工时及较高的成本，因此不能适用于制造大尺寸或高分辨率显示面板。

因此亟需提出一种新颖的真空转移装置，以克服传统转移装置的缺失。

发明内容

鉴于上述，本发明实施例的一个目的在于提出一种形成真空转移装置的方法，可适用以转移微装置，例如微发光二极管。本实施例使用半导体装置制造技术，以经济且简单方式形成真空转移装置。

根据本发明实施例，形成真空转移装置的方法主要包含以下步骤。提供半导体基板，在半导体基板的顶面形成第一屏蔽层，并蚀刻第一屏蔽层以形成具有第一孔的图案，该第一孔贯通第一屏蔽层。使用第一屏蔽层为蚀刻屏蔽以蚀刻半导体基板，以在半导体基板的顶部形成第一孔。在半导体基板的底面形成第二屏蔽层，并蚀刻第二屏蔽层以形成具有吸嘴的图案，该吸嘴对准于第一孔。使用第二屏蔽层为蚀刻屏蔽以蚀刻半导体基板，以在半导体基板的底部形成吸嘴并延伸向下。在半导体基板的底面形成第三屏蔽层。蚀刻第二屏蔽层以形成具有第二孔的图案，该第二孔贯通第二屏蔽层。使用第二屏蔽层与第三屏蔽层为蚀刻屏蔽以蚀刻半导体基板，以形成第二孔贯通吸嘴且位于半导体基板内以连通第一孔。

在一实施例中，该第一屏蔽层、该第二屏蔽层或该第三屏蔽层包含氮化硅、氧化硅或金属。

在一实施例中，上述方法还包含：在蚀刻该半导体基板以形成该第一孔的步骤后，移除该第一屏蔽层。

在一实施例中，该吸嘴至少部分重叠于该第一孔。

在一实施例中，该吸嘴的尺寸小于该第一孔。

在一实施例中，该第二孔至少部分重叠于该吸嘴与该第一孔。

在一实施例中，该第二孔的尺寸小于该吸嘴。

在一实施例中，上述方法还包含：在蚀刻该半导体基板以形成该第二孔的步骤后，移除该第二屏蔽层与该第三屏蔽层。

在一实施例中，上述方法还包含：提供转接器，以夹住该半导体基板的顶面；其中该转接器具有真空通道，其贯通该转接器并连通于该第一孔。

在一实施例中，该转接器具有多个周围通道，其贯通该转接器并位于该转接器的周围。

在一实施例中，上述方法还包含：使用夹持器以固定该转接器与该半导体基板。

本发明的又一个目的在于提供一种真空转移装置，以通过该真空转移装置解决现有技术中真空转移过程中效率低下以及成本较高的问题。