[发明专利]一种从电子化学品和电子化学品生产溶液中选择性去除或同时去除多种离子杂质的方法在审
申请号: | 201910139063.8 | 申请日: | 2019-02-25 |
公开(公告)号: | CN111603800A | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 徐颖键 | 申请(专利权)人: | 贵州金之键高科技材料有限公司;徐颖键 |
主分类号: | B01D15/08 | 分类号: | B01D15/08;B01J20/22;B01J20/26;B01J20/30 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 550025 贵州省贵阳市贵安*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子 化学品 生产 溶液 选择性 去除 同时 多种 离子 杂质 方法 | ||
本发明提供一种从电子化学品和电子化学品生产溶液中选择性去除或同时去除多种离子杂质的方法,其中化学品包含杂质离子以及有机物,该方法使用的吸附材料是多孔基材表面通过化学键连接有机分子结构且包括以下步骤:1)将吸附材料的至少两种进行混合;2)混合后加入至化学品中,室温或加热情况下搅拌后将混合溶液过滤,得到滤液,滤液的电阻率增加了3‑4个数量级。本发明的方法能够在用于电子器件的化学品中同时处理金属离子和非金属离子,实现多种金属离子的混合捕捉。
技术领域
本发明涉及精细化学品和电子材料纯化领域,更具体地,涉及一种从电子化学品和电子化学品生产溶液中选择性去除杂质离子或同时去除多种离子杂质的方法。
背景技术
近年来,电子元器件和IT行业的发展迅速,这也造成了对于电子元器件行业和IT行业生产过程中所应用的电子化学品纯度有着极高的要求。
半导体,特别是高密度的集成电路,很容易受到各类污染的危害。目前的半导体尺寸已经达到了亚微米级别,带来技术革新的同时,也为工业生产带来了问题,由于半导体的量度尺寸过小,这种非常小的器件极易受到来自操作人员、设备、工艺、以及所用化学品中所存在的金属离子及非金属离子所污染,甚至损害。在目前的工业生产中,电子级别化学品的纯度被视为评断能否用于OLED(有机发光半导体)或是半导体生产的最基础也是最重要的条件之一。然而,这也是在工业生产最容易被轻视和最难解决的问题。电子化学品的纯度,不仅仅会影响电子元件的寿命,更会对整个工艺带来巨大的问题,有可能导致后续的工艺无法进行或是增加后续工艺的强度和复杂度。
对于像电子化学品这类的对金属杂质要求较高的化学品来说,传统的除杂技术很能满足其要求,因此该类行业转向采用精馏法、气体吸收法等物理方法来处理电子化学品中的金属离子,但这类方法如需达到更高的标准,都需采用多次升华提纯,结果会导致回收率低下、品质不稳定等弊端,无疑为工业生产带来了更多的压力和负担。
此外,更加期望存在一种吸附材料和方法,能够对电子化学品中的金属离子和非金属离子同时进行吸附去除,以提高电子化学品的纯度。
传统的功能化材料仅含有简单的单一官能团,负载量较低;只能提供单一的捕捉机制,在含有不同金属离子的环境中,仅能对一种或者几种起到去除效果,并不能有效的去除全部金属;而在像电子化学品这类的对金属杂质要求较高的化学品行业来说,此类功能化材料也是不适用的。
综上所述,现有技术仍待改进。
发明内容
本发明的目的是提供一种从电子化学品和电子化学品生产溶液中选择性去除杂质离子或同时去除多种离子杂质的方法。
为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:
根据本发明,提供一种从电子化学品和电子化学品生产溶液中选择性去除杂质离子的方法,其中化学品包含杂质离子以及有机物,方法使用的吸附材料是多孔基材表面通过化学键连接有机分子结构且包括以下步骤:
1)将吸附材料的至少两种进行混合;
2)混合后加入至化学品中,室温或加热情况下搅拌后将混合溶液过滤,得到滤液,滤液的电阻率增加了3-4个数量级。
进一步地,多孔基材是沸石、多孔硅胶、纳米二氧化硅以及聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或多种。
进一步地,吸附材料的有机分子结构具有通式(I),
其中,p为1-20,q为0-20,r为0-20;
A为C3-C20的烷基、C3-C20的烯基、芳基、醚基、胺基、磷基或硫基,或以上基团的两种及两种以上的组合;
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