[发明专利]固态成像元件和电子设备有效
申请号: | 201910141174.2 | 申请日: | 2014-08-07 |
公开(公告)号: | CN110047857B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 富樫秀晃 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/768;H01L23/48;H04N5/369;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 元件 电子设备 | ||
1.一种成像元件,包括:
设置在半导体基板的第一面上的一个或多个光电转换元件;
设置在所述半导体基板的第一面和所述半导体基板的第二面之间的贯通电极;和
设置在所述贯通电极和所述半导体基板之间的具有固定电荷的第一膜。
2.根据权利要求1所述的成像元件,还包括设置在所述半导体基板的第一面上的具有固定电荷的第二膜。
3.根据权利要求1所述的成像元件,还包括设置在所述半导体基板的第二面的一部分上的具有固定电荷的第三膜。
4.根据权利要求1所述的成像元件,还包括设置在所述贯通电极和第一膜之间的介电层。
5.根据权利要求1所述的成像元件,其中所述一个或多个光电转换元件和所述贯通电极在平面图中沿着所述半导体基板的厚度方向层叠。
6.根据权利要求1所述的成像元件,其中所述贯通电极贯穿所述半导体基板。
7.根据权利要求1所述的成像元件,其中所述贯通电极由金属或导电材料构成。
8.根据权利要求7所述的成像元件,其中所述金属或所述导电材料选自铝、钨、钛、钴、铪和钽中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的成像元件,还包括设置在所述半导体基板的第二面上的放大晶体管和浮动扩散部,所述半导体基板的第二面与所述半导体基板的第一面相对,其中所述一个或多个光电转换元件经由所述贯通电极与所述放大晶体管的栅极和所述浮动扩散部连接。
10.根据权利要求9所述的成像元件,还包括上部触头,其中所述一个或多个光电转换元件包括上部透明电极、光电转换膜和下部透明电极,并且其中所述下部透明电极经由所述上部触头与所述贯通电极的上端连接。
11.根据权利要求9所述的成像元件,还包括连接部、下部第一触头和下部第二触头,其中所述放大晶体管的栅极经由所述下部第一触头、所述连接部和所述下部第二触头与所述贯通电极的下端连接。
12.根据权利要求9所述的成像元件,还包括连接部、下部第一触头和下部第三触头,其中所述浮动扩散部经由所述下部第一触头、所述连接部和所述下部第三触头与所述贯通电极的下端连接。
13.根据权利要求9所述的成像元件,还包括设置在所述半导体基板的第二面上的复位晶体管,所述复位晶体管包括复位栅极,其中所述复位栅极邻近所述浮动扩散部设置。
14.根据权利要求1所述的成像元件,其中所述一个或多个光电转换元件包括多个光电转换元件,并且针对所述多个光电转换元件中的每一个设置所述贯通电极。
15.根据权利要求1所述的成像元件,还包括设置在所述半导体基板内的一个或多个光电二极管。
16.根据权利要求15所述的成像元件,其中所述一个或多个光电转换元件和所述一个或多个光电二极管在平面图中沿着所述半导体基板的厚度方向层叠。
17.根据权利要求15所述的成像元件,其中所述一个或多个光电二极管邻近所述贯通电极设置。
18.一种电子设备,包括:
光学系统;
成像元件,所述成像元件包括:
设置在半导体基板的第一面上的一个或多个光电转换元件;
设置在所述半导体基板的第一面和所述半导体基板的第二面之间的贯通电极;和
设置在所述贯通电极和所述半导体基板之间的具有固定电荷的第一膜;
驱动部;和
信号处理部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的